國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體，加速崛起

功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一，其功能主要是對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換，對(duì)電路進(jìn)行控制，改變電子裝置中的電壓和頻率，直流或交流等，具有處理高電壓，大電流的能力。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的研究報(bào)告，2025年全球功率半導(dǎo)體器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模有望突破555億美元，同比增長(zhǎng)12%。這一增長(zhǎng)主要得益于新能源汽車、光伏、風(fēng)電等行業(yè)的快速發(fā)展，以及物聯(lián)網(wǎng)、新一代通信網(wǎng)絡(luò)的普及。功率半導(dǎo)體器件作為這些新興行業(yè)不可或缺的核心元件，其需求量大幅增長(zhǎng)。

從市場(chǎng)格局看，目前全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)集中度比較高，主要由歐美、日本等地的IDM廠商主導(dǎo)，英飛凌、意法半導(dǎo)體、德州儀器、安森美等巨頭憑借技術(shù)與品牌優(yōu)勢(shì)，市占率一度超過50%。

不過近年來，隨著新能源汽車、光伏等下游場(chǎng)景的持續(xù)強(qiáng)勢(shì)，以及企業(yè)在技術(shù)方面的突破，我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)逐漸從中低端向高端市場(chǎng)邁進(jìn)，在SiC、IGBT 等核心領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從 “替代進(jìn)口” 到 “全球競(jìng)合” 的跨越，未來將深度參與全球能源革命與智能化浪潮。進(jìn)入2025年之后，國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體突破的情況愈發(fā)明顯。在多家海外巨頭高喊需求疲軟、庫(kù)存高企之時(shí)，國(guó)內(nèi)廠商卻在市場(chǎng)上不斷突破，多家企業(yè)市占率進(jìn)入全球功率半導(dǎo)體前十。

由業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體電子信息媒體芯師爺舉辦的第七屆“芯師爺-硬核芯年度評(píng)選活動(dòng)”，匯聚了百余家中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的知名企業(yè)、潛力企業(yè)及其年度重磅“芯”品。本文精選了2025年參評(píng)的多款功率器件產(chǎn)品，以期為市場(chǎng)提供更多優(yōu)質(zhì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)品選型。

芯聯(lián)集成

芯聯(lián)集成成立于2018年，2023年在科創(chuàng)板上市。以“聯(lián)結(jié)資源、匯聚智慧、持續(xù)創(chuàng)新，鼎力支撐全球智慧型新能源革命”為愿景，芯聯(lián)集成面向車載、工控、高端消費(fèi)、AI四大應(yīng)用市場(chǎng)，致力于MEMS、IGBT、SiC MOSFET、模擬IC、MCU的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，形成了完善的產(chǎn)品布局、雄厚的技術(shù)積累、多樣化的工藝平臺(tái)以及規(guī)模化的生產(chǎn)能力，是國(guó)內(nèi)稀缺的一站式芯片系統(tǒng)代工方案供應(yīng)商。

芯聯(lián)集成擁有種類完整、技術(shù)先進(jìn)的車規(guī)級(jí)高質(zhì)量功率器件和功率IC研發(fā)及量產(chǎn)平臺(tái)，是國(guó)內(nèi)重要的車規(guī)和高端工業(yè)控制芯片及模組制造基地。同時(shí)，芯聯(lián)集成聚焦模擬IC持續(xù)開發(fā)國(guó)內(nèi)獨(dú)有、稀缺的高壓BCD 平臺(tái)，且多個(gè)新平臺(tái)已實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

經(jīng)過7年的發(fā)展和蓄力，芯聯(lián)集成在“技術(shù)+市場(chǎng)”雙輪驅(qū)動(dòng)的經(jīng)營(yíng)策略下，已構(gòu)筑了IGBT、碳化硅、模擬IC三大業(yè)務(wù)增長(zhǎng)曲線。根據(jù)Chip Insights發(fā)布的《2024年全球?qū)倬A代工排行榜》，公司已邁入晶圓代工“第一梯隊(duì)”，躋身2024年全球?qū)倬A代工榜單前十，中國(guó)大陸第四。

從中國(guó)最大車規(guī)IGBT基地到全球SiC技術(shù)領(lǐng)跑者，從傳統(tǒng)代工到系統(tǒng)代工解決方案提供商，芯聯(lián)集成以十年磨一劍的定力，在新能源與智能化賽道逐步構(gòu)建起"技術(shù)-產(chǎn)能-生態(tài)"三重壁壘。

1500V SiC MOS 灌膠模組

一款適用于100-400KW功率段的SiC Mini HPD模塊，該模塊搭載G1.7系列SiC芯片，產(chǎn)品電壓范圍覆蓋750V-1500V，可支持1000V以上電池電壓平臺(tái)。采用高效熱管理散熱技術(shù)和先進(jìn)封裝工藝，具有優(yōu)異的出流能力和高可靠性。SiC模塊能給汽車提供澎湃的動(dòng)力并最大限度的降低汽車運(yùn)行能耗，提升系統(tǒng)效率和續(xù)航里程，使汽車運(yùn)行起來更加安靜，帶來極致的駕乘體驗(yàn)。

瑞能半導(dǎo)體

瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司是專注于功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先企業(yè)，前身為恩智浦半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部。公司運(yùn)營(yíng)中心位于上海，擁有吉林、上海、北京三座芯片生產(chǎn)基地、香港子公司、上海研發(fā)中心、東莞物流中心，并建立了覆蓋全球的銷售與服務(wù)體系。 瑞能結(jié)合先進(jìn)的雙極功率技術(shù)與恩智浦在中國(guó)制造業(yè)和分銷渠道的資源優(yōu)勢(shì)，主營(yíng)可控硅/晶閘管、碳化硅器件、快恢二極管、TVS/ESD、IGBT及模塊等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子（家電）、工業(yè)制造（通信電源）、新能源及汽車領(lǐng)域。擁有超100件專利（含6項(xiàng)境外專利），近兩年研發(fā)投入占比超7%。晶閘管全球市占率第一）碳化硅二極管全球七名（Omdia 2024數(shù)據(jù)），產(chǎn)品應(yīng)用于多家全球知名品牌。

瑞能半導(dǎo)體擁有全球員工超500人，研發(fā)人員占比超35%。通過自有團(tuán)隊(duì)+代理模式構(gòu)建全球銷售網(wǎng)絡(luò)，精準(zhǔn)匹配客戶需求。依托研發(fā)-生產(chǎn)-物流全鏈條布局，支撐半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化與進(jìn)口替代進(jìn)程，獲國(guó)家政策支持。深耕行業(yè)形成先發(fā)優(yōu)勢(shì)，以技術(shù)積累、量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)及客戶協(xié)同開發(fā)能力構(gòu)建良性循環(huán)，持續(xù)推動(dòng)功率半導(dǎo)體在智能制造領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用。

瑞能碳化硅TSPAK系列

瑞能已正式推出全新TSPAK系列碳化硅產(chǎn)品，該系列采用頂部散熱封裝，產(chǎn)品包括瑞能領(lǐng)先工藝的SiC MOSFET與SiC肖特基二極管。采用頂部散熱封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩(wěn)定的TO-247等傳統(tǒng)直插型封裝，還具有基于SMD的PCB組裝方式，同時(shí)避免依次安裝絕緣襯套緊固螺絲，實(shí)現(xiàn)高效制造流程的額外優(yōu)勢(shì)。同時(shí)，由于無需設(shè)置熱過孔，可最小化電流環(huán)路面積，減小EMI輻射。

數(shù)明半導(dǎo)體

上海數(shù)明半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：數(shù)明半導(dǎo)體）成立于2013年，專注于研發(fā)高性能、可靠的模擬芯片及系統(tǒng)解決方案。公司產(chǎn)品線豐富，涵蓋驅(qū)動(dòng)芯片、電源管理及智能能光伏芯片、接口與信號(hào)鏈芯片，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、新能源及工業(yè)領(lǐng)域，深受市場(chǎng)認(rèn)可。

公司自研核心技術(shù)與知識(shí)產(chǎn)權(quán)，通過ISO9001:2015及國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系認(rèn)證，技術(shù)實(shí)力雄厚。2020年獲”高新技術(shù)企業(yè)”稱號(hào)，2022年更榮獲上海市科技小巨人、專精特新企業(yè)及國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”稱號(hào)，彰顯行業(yè)領(lǐng)先地位。

數(shù)明半導(dǎo)體秉持“為客戶與員工創(chuàng)造價(jià)值，共建綠色智能未來”的使命，致力于成為模擬芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，持續(xù)創(chuàng)新，推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。

SiLM94112-AQ

SiLM94112-AQ是一款帶保護(hù)功能的12通道半橋驅(qū)動(dòng)器，廣泛應(yīng)用于汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制，比如加熱、排風(fēng)、空調(diào)翼板直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。SiLM94112-AQ通過SPI通訊接口直接控制最多12通道的半橋輸出。半橋驅(qū)動(dòng)器可用于驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)獨(dú)立、順序或并聯(lián)工作，通過16位SPI接口可控制電機(jī)于正向、反向、制動(dòng)和滑行狀態(tài)。SiLM94112-AQ可提供系統(tǒng)診斷特征，如輸出短路、開路、電源失效和過溫檢測(cè)，并具有低靜態(tài)電流的優(yōu)勢(shì)。應(yīng)用部位：后視鏡調(diào)節(jié)、空調(diào)控制器、車身域控等。

泰科天潤(rùn)

泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司成立于2011年，是中國(guó)碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅器件研發(fā)與制造，并提供應(yīng)用解決方案。總部坐落于北京，是一家IDM企業(yè)，擁有兩條碳化硅芯片晶圓生產(chǎn)線。

公司有13年碳化硅器件量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，涵蓋研發(fā)、制造、工藝、品控、應(yīng)用方案和銷售六個(gè)方向。

同時(shí)，公司建有可靠性實(shí)驗(yàn)室、器件評(píng)估實(shí)驗(yàn)室、失效分析實(shí)驗(yàn)室、系統(tǒng)應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，為向客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品提供有力保障。泰科天潤(rùn)的碳化硅產(chǎn)品范圍覆蓋650V-3300V（0.5A-100A）等多種規(guī)格，已經(jīng)批量應(yīng)用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、DC-DC等多個(gè)領(lǐng)域，并屢次獲得行業(yè)優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)。公司質(zhì)量資質(zhì)有：

ISO9001/IATF16949/RoHS/REACH/UL/DNV·GL/USCG/AEC-Q101等。

碳化硅MOSFET半橋模塊 GPT040M0120HBMX1

這是一款結(jié)構(gòu)緊湊結(jié)構(gòu)緊湊，低成本，高功率密度，高效率的碳化硅半橋模塊。它具有很低的寄生參數(shù)，同時(shí)內(nèi)部自帶有NTC可以檢測(cè)殼溫，減少了產(chǎn)品開發(fā)過程中的設(shè)計(jì)難度。具有內(nèi)絕緣，無需額外的絕緣片，有利于生產(chǎn)加工，類TO封裝，可以參考常規(guī)插件封裝的散熱設(shè)計(jì)，降低散熱設(shè)計(jì)難度。

杰盛微半導(dǎo)體

杰盛微半導(dǎo)體是由國(guó)家特聘專家以及留學(xué)歐美的海歸博士團(tuán)隊(duì)創(chuàng)立的高科技公司，總部在西安市高新區(qū)錦業(yè)路125號(hào)西安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園。

杰盛微半導(dǎo)體是一家專業(yè)生產(chǎn)霍爾磁性傳感器SOC芯片、模擬驅(qū)動(dòng)IC、電源管理芯片(AC-DC/DC-DC)、MOSFETS場(chǎng)效應(yīng)、二三極管、晶體管、單雙三四象可控硅等的公司。JSMSEMI杰盛微擁有完整的自主研發(fā)體系并掌握多項(xiàng)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的關(guān)鍵核心技術(shù)，研制開發(fā)了各類磁開關(guān)系列芯片，磁速度、方向傳感器芯片，線性傳感器芯片，以及磁編碼器芯片、包括25V~700V柵極驅(qū)動(dòng)IC芯片、3300V/5000V隔離柵驅(qū)動(dòng)IC芯片、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC芯片、智能功率開關(guān)及智能模塊。為汽車電子、光伏及儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)控制等市場(chǎng)領(lǐng)域的終端客戶高可靠性功率模擬IC芯片。

杰盛微半導(dǎo)體是業(yè)內(nèi)能提供最全面的產(chǎn)品與解決方案的企業(yè)之一，產(chǎn)品種類超過50多種封裝形式和10000多種型號(hào)。公司已通過ISO9001:2008質(zhì)量管理體系認(rèn)證。JSMSEMI產(chǎn)品達(dá)到SGS報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)，SVHC和RoHS符合標(biāo)準(zhǔn)。

可信賴的汽車工業(yè)級(jí)芯片生產(chǎn)與解決方案供應(yīng)商。

JSM2136STR

JSM2136S提供外部使能控制可同時(shí)關(guān)斷六通道輸出。通過連接到 RCIN輸入的RC網(wǎng)絡(luò)在外部編程延時(shí)后，過電流故障情況自動(dòng)清除。邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或 LSTTL 邏輯輸出電平，其浮地通道最高工作電壓可達(dá)700V。可用于驅(qū)動(dòng)N溝道高壓功率 MOSFET/IGBT 等器件。JSM2136S采用SOP-28寬體封裝，可以在-40至125溫度范圍內(nèi)工作。

觀巖科技

成都觀巖科技有限公司是一家集成電路研發(fā)企業(yè)，公司聚焦工業(yè)光纖收發(fā)器、隔離芯片、光通信芯片三大方向，可為客戶提供國(guó)產(chǎn)化的光纖收發(fā)模塊、工業(yè)控制類隔離芯片/器件、光通信芯片等豐富的半導(dǎo)體產(chǎn)品及解決方案。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于電網(wǎng)自動(dòng)化、工業(yè)控制、光通訊及消費(fèi)電子領(lǐng)域。

公司一直保持高研發(fā)投入，目前已完成了多款產(chǎn)品的研發(fā)與量產(chǎn)，公司核心技術(shù)在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，且完全自主可控，利用核心技術(shù)開發(fā)的多款產(chǎn)品屬于國(guó)內(nèi)唯一，公司抓住國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇迅速實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)突破，目前已經(jīng)成功進(jìn)入到電力電子、工業(yè)控制、光通信等方向的國(guó)內(nèi)一線龍頭企業(yè)，累計(jì)出貨已超千萬顆，公司后續(xù)會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)占比，樹立公司品牌，成為國(guó)產(chǎn)芯片的標(biāo)桿企業(yè)。

公司目前已申請(qǐng)了10余項(xiàng)發(fā)明專利、集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)，為公司樹立起了技術(shù)壁壘，保證了公司技術(shù)和產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。

公司于2023年通過了ISO9001、ISO45001、ISO14001三項(xiàng)管理體系認(rèn)證，同年成為“成都市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)”會(huì)員單位，截止目前，公司已成功獲得了“高新技術(shù)企業(yè)”、“高新區(qū)高層次四派人才企業(yè)”、“創(chuàng)新型中小企業(yè)”、“科技型中小企業(yè)”“集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)評(píng)估”等多項(xiàng)榮譽(yù)資質(zhì)。

4A智能IGBT驅(qū)動(dòng)光耦芯片 NRH332J

NRH332J 是一款智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦芯片，峰值輸出電流高達(dá)4A，可驅(qū)動(dòng)IGBT或MOSFET。 其集成了關(guān)鍵保護(hù)功能，包括退飽和檢測(cè)、欠壓鎖定保護(hù)(UVLO)、IGBT軟關(guān)斷、有源米勒鉗位及故障反饋，大幅提升系統(tǒng)可靠性。具備寬電源電壓范圍（15-30V）和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，專為工業(yè)逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及開關(guān)電源等工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，提供卓越的電路保護(hù)和設(shè)計(jì)靈活性。

瞻芯電子

上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。公司致力于開發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品，圍繞碳化硅(SiC)應(yīng)用，為客戶提供一站式芯片解決方案。

瞻芯電子依托浙江瞻芯SiC晶圓產(chǎn)線，自主開發(fā)第3代SiC MOSFET工藝平臺(tái)。基于該平臺(tái)開發(fā)的第3代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品是平面柵極結(jié)構(gòu)。

瞻芯電子第3代1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品

瞻芯電子第3代SiC MOSFET技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

1.工藝優(yōu)化

第3代平面柵工藝通過縮小元胞的Pitch，顯著提升了器件密度。在保證器件耐壓和短路能力的前提下，將比導(dǎo)通電阻（Rsp）降低至2.5mΩ·cm2，達(dá)到國(guó)際一流水平。

2.高溫性能提升

第3代SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻(Ron)溫度系數(shù)較低，在高溫下保持穩(wěn)定的低損耗。例如，第3代1200V SiC MOSFET的Ron在驅(qū)動(dòng)電壓為15V時(shí)，175°C 高溫下的僅為常溫（25°C）的 1.42倍；當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓為18V時(shí)，該比值為 1.65倍，而市場(chǎng)其他產(chǎn)品幾乎都在2倍以上。

3.高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

全系列產(chǎn)品按汽車級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)(AEC-Q101)設(shè)計(jì)和測(cè)試認(rèn)證。關(guān)鍵產(chǎn)品，如首款1200V 13mΩ 大電流SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z），增加更嚴(yán)格的極端性能測(cè)試驗(yàn)證。

4.規(guī)格齊全

具有650V、750V、1200V，1400V和3300V電壓平臺(tái)，滿足不同行業(yè)多種母線電壓的需要；導(dǎo)通電阻覆蓋11mΩ~150mΩ，滿足從高中低功率段的需求。