臺積電 2026 年技術規劃、產能及 CAPEX 相關會議紀要

一、核心預測結論 （一）2026 年 CAPEX 預測

整體資本開支（CAPEX）預計為410-420 億美元（low400 億美金區間），其中前端業務占比 75%，封裝、光罩、EDA 等后端及配套業務占比 25%，封裝業務投入較往年略有增加（約多 10-20 億美元）。CAPEX 構成中，scanner（光刻設備）相關投入是核心，2nm 相關 scanner 采購金額約 80-90 億美元，2026 年訂單規模略低于 2025 年。

（二）2026 年營收預測

全年營收預計可達1300 億美元以上，同比增長約 8%-10%（2025 年營收預計 1200 億美元）。其中 2nm（N2）制程貢獻 80-90 億美元營收，占比約 7%，成為營收增長的核心驅動力之一。

二、各制程技術進展與產能規劃 （一）2nm（N2）制程

1. 產能節奏：2025 年底 scanner 產能達 5 萬片 / 月，2026 年底 scanner 產能提升至 10 萬片 / 月；但實際產能釋放存在滯后，2026 年 Q3 財報將體現 5 萬片 / 月貢獻，年底實際產能約 6 萬片 / 月（含部分 1.6nm 產能）。

2. CAPEX 與機臺：2026 年新增 5 萬片 / 月 scanner 產能，對應 scanner 采購金額 80-90 億美元；因生產效率提升（首階段機臺效率低需多采購，后續效率優化可減少機臺需求），2026 年機臺采購量較 2025 年減少約 1/9，無需按同等規模追加機臺。

3. 定價：單 wafer ASP 預計為 2.3-2.4 萬美元，此前市場傳言的 3 萬美元定價過高，與實際營收模型不匹配。

1. 技術定位：屬于 2nm（N2）家族，與 N2 共用機臺和核心工藝，僅新增背面供電網絡功能，本質是 N2 的衍生版本（原命名 A18，因規避 Intel 產品名稱改為 A16）。

2. 產能與進度：2026 年 Q1 光罩廠啟動 A16 制程 wafer 試產，Q3 正式量產；EUV 層數較 2nm 多 1 道（從 21-22 道增至 22-23 道），對應 EUV 需求增加約 5%，但無需額外新增大量機臺（可復用 N2 現有設備冗余）。

3. 產能分配：與 N2 共享 5 萬片 / 月的 scanner 產能池，根據客戶訂單靈活分配產能比例。

1. 量產時間：2027 年正式量產，2027 年初啟動 CAPEX 投入（機臺 move in），2026 年僅支付定金，不計入當年 CAPEX。

2. 技術特點：與 2nm 制程差異較大，屬于新一代節點，但臺積電通過工藝優化，未大幅增加 EUV 層數和機臺復雜度，僅需 1nm 縮微，可復用部分 N2 scanner 設備；計量（metrology）環節復雜度略高于 N2，但 EUV 需求無明顯上升。

3. 定價預測：單 wafer ASP 預計約 3 萬美元（僅為 2027 年后的初步猜測）。

1. 臺灣地區：現有產能穩定在 13-15 萬片 / 月，2026 年無新增機臺計劃，僅維持現有產出規模；18B 廠已完成產能鋪設，無額外擴產規劃。

2. Arizona 工廠：屬于 Phase2 項目，2027 年量產，2026 年僅啟動小產能產品驗證（非 2-3 萬片 / 月的激進目標）；機臺可與 4nm（N4）混用，但 3nm 產出需更多機臺才能達到同等產能。

3. 市場傳言澄清：2026 年無大規模擴產計劃，Arizona 工廠 3nm 產能釋放需到 2027 年下半年，2026 年僅為驗證階段。

1. 跨制程復用：3nm 與 4nm、2nm 與 1.6nm、1.4nm 與 2nm 的 scanner、DUV、EUV 設備均可部分混用，但產能效率有差異（如 4nm 機臺用于 3nm 生產時，產出會減少）。

2. 設備壽命與成本：當前制程迭代趨于保守（“擠牙膏” 式升級），ASML 機臺按節點對應型號設計，但臺積電通過工藝優化延長設備復用周期，DUV 復用率較高，EUV 僅需少量新增（因層數微調）。

1. 2 萬片 / 月新增產能測算：需 6 臺 EUV（單臺月曝光量 7 萬片）、6 臺沉浸式 DUV（雙層數需求）、4 臺 KLA 計量設備，核心設備（EUV+DUV）為 CAPEX 主要構成。

2. 地區定價差異：機臺本體價格全球一致（如臺灣、美國、日本同型號設備價格無明顯差異），僅售后保修服務費用存在地區差異。

3. 采購趨勢：2026 年 ASML 對臺積電的 scanner 訂單較 2025 年平淡，主要因臺積電工藝效率提升，減少了機臺采購需求。

按 2024 年公布的計劃按時推進，但較原始規劃（2025-2026 年釋放 N2 產能）有所延遲，Phase2（3nm+2nm）產能需到 2027 年下半年才正式釋放。

（二）Phase 規劃

1. Phase1：以 4nm（N4）為主，已完成機臺鋪設，用于服務美國本土客戶。

2. Phase2A：聚焦 3nm 制程，2026 年啟動客戶產品驗證，2027 年量產。

3. Phase2B：聚焦 2nm（N2）制程，機臺可與 3nm 混用，產能規模根據美國客戶訂單靈活調整（無固定 2.5 萬片 / 月滿產目標）。

核心服務美國本土客戶，需通過客戶產品驗證后才能釋放產能，2026 年重點是完成 3nm/2nm 制程的資格認證，而非大規模量產。

五、CAPEX 與營收增長邏輯 （一）CAPEX 構成變化

2026 年 CAPEX 中，前端制造（75%）占比下降，封裝、光罩等后端業務（25%）占比上升，但后端業務整體投入規模仍遠低于前端（僅多 10-20 億美元）。

（二）營收增長驅動

1. 核心驅動：2nm（含 A16）產能釋放，貢獻 80-90 億美元新增營收。

2. 其他因素：現有制程（3nm、4nm）定價穩定，客戶訂單需求平穩，無大幅降價或需求下滑風險。

2027 年 CAPEX 可能因 1.4nm 量產略有上升，但當前訂單未確認，暫無法給出具體數值；2026 年后 CAPEX 增長率與 2023-2024 年持平，無大幅增長動力。

六、關鍵關注要點

1. 成本控制：臺積電通過工藝效率優化（減少機臺采購）、設備復用（跨制程共用）降低 CAPEX 壓力，2026 年無激進投資計劃。

2. 進度風險：Arizona 工廠產能釋放節奏、1.4nm 制程工藝驗證進度需持續跟蹤。

3. 市場變量：終端市場需求若超預期，臺積電可能在 2026 年中期調整機臺采購計劃，但當前無明確信號。

4. 設備廠商影響：ASML 2026 年對臺積電的訂單規模平淡，反映行業整體投資趨于保守。