ASML 發(fā)布新一代光刻機(jī) 芯片制造工藝突破 3 納米瓶頸

全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭 ASML 于 3 月 3 日正式發(fā)布新一代 EUV 光刻機(jī) TWINSCAN NXE:3800D，該設(shè)備在光源功率、晶圓吞吐量和工藝精度上實(shí)現(xiàn)三重突破，可支持 3 納米及以下先進(jìn)制程芯片的規(guī)模化生產(chǎn)，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入關(guān)鍵動(dòng)力。

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據(jù) ASML 官方披露，新款光刻機(jī)采用升級(jí)版極紫外光源技術(shù)，光源功率提升至 600W，較上一代產(chǎn)品加工效率提高 30%，單臺(tái)設(shè)備年產(chǎn)能可達(dá) 6 萬(wàn)片晶圓。同時(shí)，通過(guò)優(yōu)化光學(xué)系統(tǒng)和工作臺(tái)穩(wěn)定性，該設(shè)備的套刻精度控制在 1 納米以內(nèi)，能夠滿足高性能計(jì)算芯片、先進(jìn)制程手機(jī)芯片等高端產(chǎn)品的制造需求。

行業(yè)分析指出，當(dāng)前全球芯片產(chǎn)業(yè)正處于先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵階段，3 納米制程已成為頭部企業(yè)的必爭(zhēng)之地。ASML 新一代設(shè)備的推出，將有效緩解臺(tái)積電、三星等廠商的先進(jìn)制程產(chǎn)能壓力，加速高端芯片的國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)表示，已與 ASML 就新設(shè)備采購(gòu)事宜展開(kāi)磋商，預(yù)計(jì)年內(nèi)將實(shí)現(xiàn)首批設(shè)備交付。

值得關(guān)注的是，該設(shè)備在能耗控制上實(shí)現(xiàn)重大突破，單位晶圓加工能耗降低 25%，符合全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)綠色低碳的發(fā)展趨勢(shì)。