【硬件資訊】HBM4羅生門！三星宣布完成量產，Nvidia為三星海力士放寬標準，美光辟謠邊緣化！

新 聞一： 三星宣布HBM4正式量產，4nm基礎裸片，速率達11.7Gbps，最高可至13Gbps

三星宣布，已經開始量產HBM4，并已向客戶發貨商用產品。其結合了4nm基礎裸片（Base Die），并搭配1cnm（第六代10nm級別）工藝制造DRAM芯片，從量產初期就實現了穩定的良品率和行業領先性能，無需額外重新設計，確保了三星在早期HBM4市場的領導地位。

三星表示，這次的HBM4沒有采用傳統的既有成熟設計，而是向前邁出了一大步，采用了最先進的制程節點。通過利用自身的工藝技術競爭力及優化設計，三星能夠保證充足的性能提升空間，在客戶需要時滿足對方不斷增長的性能需求。

目前三星生產的HBM4速率達到了11.7Gbps，比起行業標準的8Gbps高出了約46%，是前一代HBM3E最高速率9.6Gbps的1.22倍，為HBM4的性能樹立了新的標桿。三星的HBM4還能進一步提高至13Gbps，有效緩解隨著AI模型不斷擴展而加劇的數據瓶頸。此外，HBM4單堆棧的總內存帶寬是HBM3E的2.7倍，最高可達3.3TB/s。

通過12層堆疊技術，三星為HBM4提供了從24GB到36GB不等的容量。未來三星還將通過16層堆疊技術，將容量擴展到最高48GB。

HBM4的接口位寬為2048位，相比于過往的HBM翻倍，帶來了新的功耗和散熱問題。為此三星將先進的低功耗設計方案集成到核心芯片中，采用低電壓硅通孔（TSV）技術和電源分配網絡（PDN）優化，HBM4在功耗效率上相比于HBM3E提升了40%，同時熱阻降低了10%，散熱能力提升了30%。

三星HBM4為數據中心環境帶來卓越性能和能效還有高可靠性，助力客戶實現GPU吞吐量最大化，并有效管理其總體擁有成本（TCO）。

原 文 鏈接：https://m.ithome.com/html/920323.htm

這效率比想象的還快啊，而且正如我們預料的一樣，三星果然將自家的先進半導體生產技術用在了HBM內存基板上。這也算是一種內卷，我三星用了4nm，你們兩家跟不跟？不跟的話，你們性能不如我，跟的話，你們成本不如我，這已經是三星的陽謀了啊！！

新 聞2：三星和SK海力士都面臨產能和良品率問題，
英偉達或放寬HBM4規格要求

隨著新一代Vera Rubin平臺進入量產階段，SK海力士和三星都將向英偉達供應HBM4。三星在昨天就已官宣量產HBM4，采用了4nm基礎裸片（Base Die）搭配1cnm（第六代10nm級別）工藝制造DRAM芯片，并已向客戶發貨商用產品，領先于SK海力士和美光。

據TrendForce報道，性能是HBM4至關重要的指標，不過產能和良品率決定了下一代AI加速器是否能夠按時提供穩定供應，而今年整體HBM4供應動態大概率主要取決于英偉達的采購策略，也就是訂單的分配情況。按照最近一段時間的說法，SK海力士將占據Vera Rubin平臺大部分HBM4訂單，份額可能在60%至70%，超過了之前50%的預期。

雖然SK海力士延續了HBM3E時代的強勢，拿到了過半的HBM4訂單，但是早期的可靠性評估顯示，SK海力士提供的HBM4想達到11Gbps級別速率有些困難，而SK海力士也一直在做改進。三星在英偉達的HBM4資格測試中處于領先位置，有著不錯的性能表現，可是1cnm DRAM芯片的良品率約為60%，短時間內也無法大幅提高產能，即便三星加速擴大生產線，也不足以滿足英偉達整體HBM4的需求。

市場已經更多地將關注點放到了英偉達的整體采購策略上，如果堅持11.7Gbps的規格，可能很難采購足夠數量的HBM4用于Vera Rubin平臺。有業內人士透露，英偉達可能放寬HBM4規格要求，除了11.7Gbps，還將采購速率降一檔的10.6Gbps產品，以降低存儲器制造商的生產難度，從而確保HBM4的穩定供應。

原文鏈接：https://m.expreview.com/104213.html

不過現在看來，其實供需市場已經倒掛了。此前，內存廠商都是靠著大客戶來支撐，但現在大客戶已經需要反過來兼容內存廠商的問題了。Nvidia還不是一般的大客戶，可想而知其他客戶的處境了……估計三星海力士就算使用降級片交付，大家也只能笑呵呵的接受了……

新 聞3： 美光駁斥被邊緣化的傳言，HBM4已提前一個季度量產，速率超過11Gbps

近日有報道稱，美光在HBM4供應上出現了一些問題，導致落后于三星和SK海力士，英偉達可能會對原先規劃的訂單進行調整，將部分美光的訂單轉交給三星，三星的份額將從20%升至30%，而美光則相反，從30%降至20%。外界猜測，如果美光的HBM4問題嚴重，甚至可能被排除在HBM4供應商名單之外。

據TrendForce報道，近日在公開活動中，美光執行副總裁兼首席財務官Mark Murphy駁斥了美光被英偉達邊緣化的傳言，稱這些報道都是“不準確的”，表示美光已經開始大規模生產HBM4，并向客戶發貨。

按照Mark Murphy說法，實際情況應該是HBM4生產提速，量產時間從第二季度前移至第一季度。同時Mark Murphy還強調，美光的HBM4良品率與預期相符，正在按計劃推進，可以提供速率超過11Gbps的產品。

美光的HBM4采用了1? (1-beta) DRAM工藝制造，為2048-bit接口，每個堆棧的帶寬超過了2.0 TB/s，性能比上一代產品提高了60%以上，同時還內置自檢（MBIST）功能。與美光的上一代HBM3E產品相比，這次HBM4的功率效率提高了20%以上。

隨著英偉達Vera Rubin平臺進入量產階段，三星、SK海力士和美光在HBM4的爭奪戰也變得愈發激烈。

原文鏈接：https://m.expreview.com/104180.html

那其實大家可以看到，市場中心的明星已經是三星和SK海力士了，第三大DRAM廠商的美光怎么樣了？？美光也很糾結自己被邊緣化的事情，專門發信息回應自己并未邊緣化，目前也已經完成了HBM4的量產準備，不知道美光能拿出什么樣的成績了！

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