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(AI云資訊消息)據(jù)報(bào)道,三星已在正式推出LPDDR6內(nèi)存之前,將其下一代LPDDR6X內(nèi)存技術(shù)的樣品發(fā)送給了高通。
目前,三星已完成LPDDR6內(nèi)存的研發(fā)工作,預(yù)計(jì)很快將投入量產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)在2026年下半年發(fā)布。三星LPDDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的初始速度將達(dá)到10.7 Gbps,能效比LPDDR5方案提升21%。同時(shí),該標(biāo)準(zhǔn)通過改良版本有望實(shí)現(xiàn)14.4 Gbps以上的傳輸速度。
LPDDR6X是LPDDR6內(nèi)存的進(jìn)階版本,將進(jìn)一步提升該DRAM標(biāo)準(zhǔn)的性能表現(xiàn)。目前固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)尚未最終敲定LPDDR6X內(nèi)存的規(guī)格參數(shù),但預(yù)計(jì)今年會(huì)有更多相關(guān)信息公布。
三星已將LPDDR6X樣品發(fā)送給高通,高通很可能將其用于名為AI250的AI加速器芯片。這是今年推出的AI200芯片的后續(xù)產(chǎn)品,同樣采用了LPDDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。這兩款芯片都將用于處理AI推理工作負(fù)載,且與英特爾基于Xe3P架構(gòu)芯片的Crescent Island圖形處理器(GPU)非常相似,二者均采用LPDDR標(biāo)準(zhǔn)。
英偉達(dá)、AMD、華為及其他主要數(shù)據(jù)中心芯片制造商都采用HBM內(nèi)存,但這些DRAM標(biāo)準(zhǔn)成本高昂、功耗更高,且目前正面臨DRAM短缺的問題。由于封裝、驗(yàn)證和測(cè)試方面的要求,HBM的生產(chǎn)難度遠(yuǎn)超DDR內(nèi)存。LPDDR內(nèi)存則省去了這些麻煩,成本也更低。HBM的速度無疑更快,但考慮到LPDDR較低的成本,它對(duì)于高性價(jià)比的AI解決方案來說更為合理。因此,預(yù)計(jì)高通將在其AI200芯片上配備高達(dá)768 GB的LPDDR內(nèi)存,而AI250芯片預(yù)計(jì)將搭載容量超過1TB的LPDDR6X內(nèi)存。
但目前來看,LPDDR6X內(nèi)存仍需數(shù)年時(shí)間才能問世。按實(shí)際情況推測(cè),該標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)要到2027年底或2028年初才會(huì)推出。
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