北京
山東大學陳召來老師FACs單晶鈣鈦礦電池，FA?.??Cs?.??PbI?薄單晶PSC效率由22.8%升至25.5%
單晶生長依然是依照傳統空間限域大法：
單晶SEM：
CSSG動態補料抑制碘空位，FAI后處理再填補表層空位
目標晶體超氧自由基產率降低，陷阱密度降，晶體質量提升。
晶體離子遷移激活能提；老化目標組幾乎無碘擴散，界面電荷抽取無衰減。
控制組電極邊緣因橫向離子遷移出現CuI變色，目標組邊緣完好；EDS顯示控制組死區碘缺失，目標組均勻。
目標器件效率由22.8%提至25.5%，穩態輸出25.3%，T90老化壽命從200 h延至1000 h。
針對單晶表面，碘空位誘發復合與離子遷移，作者提出生長-后處理分級消除策略，先在亞穩區連續補料生長（CSSG）抑制微米級空位，再用稀FAI溶液修復最外層空位。實驗結果顯示，FA?.??Cs?.??PbI?薄單晶PSC效率由22.8%升至25.5%，離子遷移激活能提高44%，橫向/縱向碘擴散均被抑制，未封裝器件在60 °C、1 sun下T90壽命從200 h延長至1000 h
從作者統計數據來看，FACs單晶確實發過不少文章，那么對于鈣鈦礦單晶，你更看好純FAPbI3還是FACs?
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