關(guān)于中國光刻機(jī)！高盛正式發(fā)布進(jìn)展，網(wǎng)友評論亮了

光刻機(jī)之所以備受關(guān)注，主要是因為芯片制造根本離不開它，而美方為了阻撓我們芯片產(chǎn)業(yè)向高端發(fā)展，又不斷擴(kuò)大光刻機(jī)對華限制范圍，導(dǎo)致我們只能推進(jìn)國產(chǎn)替代。

目前，全球光刻機(jī)技術(shù)最先進(jìn)的是荷蘭ASML，其高端EUV和先進(jìn)浸潤式DUV被限制對華出口，因此我們只能研發(fā)國產(chǎn)光刻機(jī)。那么進(jìn)展如何呢，近日高盛發(fā)布消息。

大家應(yīng)該都了解，光刻機(jī)的先進(jìn)程度決定著芯片制造工藝的先進(jìn)程度，進(jìn)入7nm制程以下就需要使用高端EUV光刻機(jī)，2nm及以下制程要用更先進(jìn)的High NA EUV。

然而，EUV光刻機(jī)目前只有荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML一家能夠生產(chǎn)，且其又依賴美方的關(guān)鍵零部件，因此出貨就受到美方和荷蘭禁令影響，先進(jìn)光刻機(jī)對華出口受到限制。

這導(dǎo)致大陸晶圓廠不能獲得獲得的光刻機(jī)，目前芯片制造最先進(jìn)水平才到7nm級別。

不過，我們早就開始進(jìn)行國產(chǎn)光刻機(jī)研發(fā)，還擁有數(shù)量不多的芯片制造用前道光刻機(jī)廠商，目前全球僅有4家，分別是荷蘭ASML、日本尼康和佳能、我國上海微電子。

那進(jìn)展如何呢？近日，外資投行高盛發(fā)布了關(guān)于中國光刻機(jī)的最新研究報告，指出中國近年來半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展迅速，但半導(dǎo)體制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)的光刻機(jī)研發(fā)上仍存在瓶頸。

高盛報告顯示，目前中國國產(chǎn)光刻機(jī)仍停留在65納米，至少落后國際大廠約20年。

高盛還在報告中指出，如今全球領(lǐng)先的晶圓制造大廠臺積電，已經(jīng)在利用ASML先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，大規(guī)模量產(chǎn)了3nm制程芯片，并且今年第四季度還將量產(chǎn)2nm。

而中國國產(chǎn)的光刻機(jī)技術(shù)水平仍停留在相對陳舊的65nm制程，即使大陸最先進(jìn)的晶圓廠中芯國際能夠生產(chǎn)出7nm制程芯片，也是用ASML較舊的DUV光刻機(jī)來制造。

因為大陸目前造不出這類先進(jìn)光刻機(jī)，因為相關(guān)核心零部件來自歐美等全球的供應(yīng)商。

高盛認(rèn)為我們國產(chǎn)光刻機(jī)停留在65納米，應(yīng)該是基于我們工信部去年發(fā)布的重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄，其中提到兩款國產(chǎn)光刻機(jī)，一款分辨率小于等于65nm。

于是，高盛引述公開數(shù)據(jù)強(qiáng)調(diào)，荷蘭ASML從65nm制程光刻機(jī)提升到低于3nm制程的光刻光刻機(jī)，用了二十年時間，先后投入了高達(dá)400億美元的研發(fā)和資本支出。

經(jīng)過綜合考量后，高盛認(rèn)為中國光刻機(jī)在短期內(nèi)趕上西方先進(jìn)光刻技術(shù)的可能性較小。

至于情況如何，咱們先不評論，有外媒直接指出，網(wǎng)友評論亮了！一網(wǎng)友表示“高盛的報告也就聽聽算了，真有預(yù)見性的話，也不至于2008年金融危機(jī)自己差點倒閉”。

還一網(wǎng)友表示“高盛這個說的太好了，讓他繼續(xù)麻痹西方，永遠(yuǎn)沉浸在自我陶醉之中。”

在現(xiàn)在網(wǎng)絡(luò)如此發(fā)達(dá)的時代，網(wǎng)友已經(jīng)不再那么單純了，都有自己的判斷，也有網(wǎng)友表示“荷蘭ASML用了二十年，我們中國必須要用二十年嗎，三年是吹，五年足矣！”

恐怕大家應(yīng)該聽說過一個道理，那就是我們正式公開的，一般都不是最先進(jìn)的。我們雖然公開了65nm光刻機(jī)，但相信我們實際上有了更先進(jìn)的，并且已進(jìn)入產(chǎn)線應(yīng)用。

試想下，為什么華為能做出7nm性能的芯片，難道美方會允許使用ASML光刻機(jī)嗎？

如今，我們正在推進(jìn)芯片國產(chǎn)替代，這就需要相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈全面國產(chǎn)替代，核心光刻機(jī)更不例外。其實，背后我們正在構(gòu)建一個從光源、鏡頭到整機(jī)的完整光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈。

當(dāng)前，我們國產(chǎn)光刻機(jī)的突圍路線本質(zhì)上是“成熟制程自主化與先進(jìn)制程技術(shù)儲備”的雙線作戰(zhàn)。現(xiàn)有的全自主國產(chǎn)光刻機(jī)能夠解決28nm制程，成熟芯片已不受限制。

事實上，我們正在攻堅28nm 浸潤式 ArFi 光刻機(jī)，一旦突破7nm甚至5nm制程更容易。同時還布局了EUV技術(shù)，整體就是成熟制程保基本盤、先進(jìn)制程逐步突破。