存儲龍頭交出“炸裂”財報！佰維存儲、德明利兩大千億巨頭股價新高，“券商一哥”發聲：漲價貫穿全年，供不應求至少持續至2027年

近期存儲板塊走勢強勁，佰維存儲、德明利等市場龍頭股價紛紛創下新高，市值突破千億。昨日晚間，佰維存儲交出“炸裂”財報，今年第一季度實現營業收入68.14億元，同比增長341.53%；凈利潤28.99億元，同比扭虧為盈，上年同期虧損1.97億元。

佰維存儲稱，業績大幅增長主要受益于AI算力爆發與存儲行業進入高景氣周期，市場需求旺盛推動產品價格持續上漲。公司把握行業上行機遇，大力拓展全球頭部客戶，實現了市場與業務的成長突破。

對于存儲板塊后市，“券商一哥”中信證券發布研報，稱當前存儲原廠擴產面臨主客觀雙重約束，2026年有效產能釋放受限，預計新產能實質釋放需待2027年底至2028年，且過程中供給增速上修空間有限。主觀方面，原廠歷經周期寒冬后高度克制，Capex上修主要聚焦2027年后長期基建，新增產能釋放時點顯著滯后；客觀方面，擴產受制于諸多剛性的物理瓶頸，主要包括潔凈室建設周期漫長、核心設備交期拉長以及HBM的“產能吞噬效應”。Agent AI時代存力為核心，行業迎長周期范式轉移，AI驅動的需求爆發與原廠擴產錯位致使缺貨常態化，預計供不應求至少持續至2027年，漲價貫穿2026全年。

中信證券表示，堅定看好存儲產業趨勢，行業有望維持高景氣，原廠及相關存儲設計公司有望更長時間維持高盈利。

以下為詳細研報：

一、存儲原廠擴產瓶頸明確，軟約束方面廠商擴產意愿有限，同時硬約束方面主要受制于潔凈室建設周期長、核心設備交期拉長、以及工藝復雜度激增致使良品晶圓消耗加劇。

當前原廠擴產節奏受制于主客觀雙重壁壘。主觀方面，歷經周期寒冬后原廠Capex規劃高度謹慎，形成投資軟約束；客觀方面，存儲擴產受制于設備條件、復雜工藝等帶來的硬約束。本篇報告聚焦探討制約產能落地的核心因素，按其重要度依次為：潔凈室建設周期限制、核心設備交期拉長與結構性緊缺、先進封裝及微縮工藝帶來的良率與產能損耗。此外，核心耗材供給緊缺與水電基建資源承載力上限，也可能成為阻礙有效產能釋放的階段因素。

整體而言，2026全年產能新增有限，美光在2026年3月的FY26Q2業績會上預測（如非特殊說明，本文美光業績會均指此次），CY2026存儲容量出貨完全受限于供給量，DRAM全年出貨容量增加約20%~23%（low-20s percentage），NAND增加約20%；Trendforce預計2026年DRAM/NAND供給容量分別增加20.2%/19.5%；預計新產能實質釋放需待2027年底至2028年，且過程中供給增速上修空間有限。

二、主觀意愿方面：原廠Capex上修謹慎，同時新增產能釋放時點顯著滯后。

存儲行業經歷2023年深度下行后，原廠對擴產普遍更強調投資紀律、盈利質量與供需平衡，并不愿在需求上行初期就重演過往“價格一漲即激進擴產、隨后再度過?！钡闹芷诓▌?。以美光為例，根據公司各次業績會，公司FY2026的Capex規劃自2025年12月從更早前的180億美元上修至200億美元，主要用于提升HBM和1γDRAM供給能力，而2026年3月上修至250億美元，主要用于新增潔凈室相關建設支出，最大項是臺灣銅鑼廠區和美國晶圓廠建設。

同時美光新增產能釋放明顯滯后，根據公司業績會，新加坡HBM封裝產能需至2027年才有實質貢獻，新加坡NAND新廠、Idaho DRAM新廠首批晶圓投片分別約在28H2、27年中，銅鑼廠預計FY28形成實質產出，當前Capex上修助力27H2后供給能力提升。

三、客觀瓶頸1：潔凈室建設周期是當前存儲原廠擴產中最核心的前端物理瓶頸之一。

潔凈室并非普通廠房，而是承載先進制造的綜合物理平臺，直接決定新增晶圓產能能否落地。其擴張按年度推進，新建廠房（Greenfield）通常需要2.5~4年量級，存量改造（Brownfield）也往往耗時1.5~2.5年。當前美光已于業績會上明確將“潔凈室受限、建設周期較長”列為2026年DRAM供給增長受限的重要原因，并指出NAND同樣受整體潔凈室空間有限的約束。潔凈室緊缺的核心原因在于HBM工藝復雜度激增，TSV、微凸塊（Microbump）及先進鍵合等環節均被前置到了晶圓制造級別的潔凈室中進行，導致HBM對高等級潔凈室的空間需求成倍增長；疊加2023年原廠大幅削減Capex，2024-2025年間新增面積極為有限。潔凈室緊張不僅壓制了全行業擴產斜率，更強化了高端產能對低端產能的物理擠占。

當前原廠主要通過存量改造（如美光收購力積電P5廠）、提前儲備、前置下單等方式應對，但潔凈室擴產涉及土建、公用工程、設備導入和工藝驗證，疊加海外特種勞動力短缺和核心機電交付周期延長，屬于極高剛性約束，短期僅可邊際提速，難以大幅壓縮周期。

四、客觀瓶頸2：設備結構性緊缺、交期延長，主要集中在HBM先進封裝設備、EUV光刻機以及高端測試機等環節。

1）HBM后道封裝：從HBM3向HBM4迭代，單（層）芯片TSV數量由約HBM2E的5000-6000個激增至上萬個，致使刻蝕與電鍍工序耗時翻倍；同時，多層堆疊及鍵合升級帶來良率爬坡極具挑戰，嚴苛的KGD（已知良好晶粒）要求使整套測試耗時達標準DRAM的3-5倍。核心的TCB鍵合機與高端測試機交期普遍長達9-12個月以上。

2）前道制造：制程向1γ（1c/1d）節點演進，EUV光刻層數從1α節點的1-2層躍升至5-7層，同等產能下EUV機臺需求量激增3-4倍。據公司年報，截至2025年底，ASML總未交付訂單積壓量高達388億歐元，存儲客戶占比從2024年的32%躍升至40%，EUV交期拉長至18~24個月。據韓媒thelec報道，2026年3月下旬，SK海力士正式披露了規模高達約80億美元（11.9萬億韓元）的ASML極紫外設備采購長單，交期覆蓋至2027年底，搶單效應凸顯。此外，高層數3D NAND深孔刻蝕及HBM電容互連刻蝕需求增長下，高深寬比刻蝕設備的POR（制程記錄）認證與產能爬坡周期也被大幅拉長，成為擴產的局部瓶頸。

五、客觀瓶頸3：HBM單位容量良品消耗晶圓及時長激增，DRAM/NAND縮進放緩，單晶圓產出容量難增加。

1）HBM的產能吞噬效應：HBM因TSV物理面積占用（Die Size較同制程DDR5通常大20%-30%以上）、多層3D堆疊致使復合良率陡降及測試周期大幅拉長，生產等量容量的晶圓消耗量至少達標準DRAM的2.5-3倍，對傳統產能形成嚴重擠壓。

2）傳統制程縮進遭遇物理墻：DRAM進入10nm級別后，電容高寬比逼近極限，EUV設備引入帶來的單位資本開支邊際收益嚴重遞減；3D NAND邁向300+層深水區后面臨極高寬比的刻蝕災難，被迫采用多層堆疊架構（String Stacking）導致薄膜沉積與生產周期倍增。物理與工藝的結構性限制使得單晶圓產出容量（GB per Wafer）難以有效增加，新增Capex大量用于填補“產能黑洞”，全行業有效Bit供應增速將被長期壓制，構成本輪存儲供需錯配及價格維持長期韌性的核心支撐。

六、投資策略：當前存儲原廠擴產面臨主客觀雙重約束，2026年有效產能釋放受限，預計新產能實質釋放需待2027年底至2028年，且過程中供給增速上修空間有限。主觀方面，原廠歷經周期寒冬后高度克制，Capex上修主要聚焦2027年后長期基建，新增產能釋放時點顯著滯后；客觀方面，擴產受制于諸多剛性的物理瓶頸，主要包括潔凈室建設周期漫長、核心設備交期拉長以及HBM的“產能吞噬效應”。Agent AI時代存力為核心，行業迎長周期范式轉移，AI驅動的需求爆發與原廠擴產錯位致使缺貨常態化，預計供不應求至少持續至2027年，漲價貫穿2026全年。

堅定看好存儲產業趨勢，核心推薦存儲原廠及貼近原廠的設計公司；關注存儲模組公司，短期業績爆發能力強。