最前線 | 遠見智存發布HBM3/3e高帶寬存儲芯片，帶寬邁入800GB/s級別

作者 | 喬鈺杰

編輯 | 袁斯來

近期，深圳遠見智存科技有限公司發布其HBM3/3e高帶寬存儲芯片產品，提供12GB與24GB兩種容量規格，帶寬達819GB/s，對標JEDEC國際標準體系。

遠見智存HBM3/3e產品規格（圖源/企業）

HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲）被視為當前AI算力體系中的關鍵組件之一。在大模型規模持續擴大、訓練與推理負載提升的背景下，算力芯片與內存帶寬之間的瓶頸問題愈發突出，業內通常將其稱為“內存墻”。

HBM通過多層DRAM裸片堆疊及TSV（硅通孔）互連，實現較傳統DDR更高的帶寬與單位面積容量，已成為AI加速器與高性能計算系統的主流配置之一。據YOLE預測，2026年全球HBM市場規模將突破460億美元，2030年有望接近1000億美元，年復合增長率約33%。

此前，全球HBM市場長期由SK海力士、三星、美光三家廠商主導，占據超過95%的市場份額。近年來，中國HBM相關產業鏈技術實力顯著提升，市場普遍認為的多項瓶頸正在逐步突破，在這一背景下，遠見智存的產品推進可視為國內廠商在HBM領域的重要階段性進展。

此次發布的HBM3/3e產品，采用1024bit數據總線設計，相較DDR5的64bit接口實現數量級提升。產品具備兩大差異化優勢：其一，通過優化核心電路電壓域設計，整體功耗降低20%；其二，采用TSV冗余性布局和可修復性設計，芯片制造良率提升約8%，可實現同等產能下節省近十分之一的晶圓成本。

遠見智存HBM3/3e產品優勢（圖源/企業）

團隊方面，遠見智存成立于2023年，專注于高帶寬存儲芯片（HBM），創始團隊自2016年前后即開始參與上一代HBM技術研發，是最早一批進入該領域的工程團隊之一 。目前公司在國內設有多個研發中心，團隊成員包括來自美光、爾必達等存儲廠商的工程師，具備一定國際化背景。

業務模式上，公司采用“芯片設計+晶圓代工+封裝測試”的Fabless模式，整套供應鏈均由中國供應商配套完成。值得注意的是，當前，國內存儲芯片設計公司仍以傳統DRAM為主，高端HBM領域參與者相對有限。在此背景下，遠見智存的HBM產品設計已覆蓋從DRAM Die到Base Die的完整鏈路，且完整持有相關邏輯與存儲部分的知識產權，核心研發設計能力較為突出。

應用側，公司當前HBM3/3e產品已可應用于AI全產業的訓練與推理場景。隨著AI算力需求外溢，HBM也開始向車載計算、邊緣設備等場景探索。目前遠見智存已著手進行面向汽車車載、移動穿戴、具身智能及無人設備等場景的定制化開發，未來，低功耗、高可靠性、小容量高帶寬等多元化產品將逐步落地。

從技術演進看，HBM仍在快速迭代。公司披露的產品演進路線顯示，2027年將推出定制版HBM及HBM+HBF融合架構，面向大模型推理提供TB級容量方案；2028年計劃推出HBM4/4e，單顆帶寬提升至2.5TB/s；2029年規劃推出HBM5及存內計算產品，探索“計算靠近數據”的架構方向。

遠見智存 產品規劃路線圖（圖源/企業）