北京
一、基本信息速覽
廠商：長電科技（國內封測龍頭）
展會：SEMICON China 2026（3月最新發(fā)布）
定位：HBM3e 封裝方案（專注封裝集成，不做DRAM顆粒）
核心參數(shù)：
?帶寬：960 GB/s（單堆棧）
?技術：2.5D 堆疊 + TSV 硅通孔
?互聯(lián)密度：比上一代提升20%
?適配：3nm 及以下高端 AI/GPU 芯片
二、960GB/s 是什么概念？下列對比看懂“帶寬碾壓”！
數(shù)據(jù)對比：
? HBM3e標準上限：約1.2TB/s（1229GB/s）
? 長電科技：960GB/s（接近國際頂級水平，三星/海力士/美光同級）
? 上一代HBM3：約819GB/s（長電直接甩開一代）
? GDDR6：約256GB/s（長電是它的3.75倍！）
結論：國產封裝帶寬首次殺入第一梯隊，AI芯片“內存墻”要塌了！
三、關鍵技術揭秘：960GB/s是怎么“煉”成的？
2.5D異構集成
結構：DRAM堆棧 + 邏輯芯片（Base Die）+ 硅中介層
優(yōu)勢：超短距、高密度互聯(lián)，信號傳輸“一路狂飆”！
TSV硅通孔 + 微凸點
黑科技：垂直穿透芯片，數(shù)千個通道并行傳輸
精度：對準精度從±5μm提升至亞微米級（誤差比頭發(fā)絲還細！）
ALD原子層沉積 + 混合鍵合
四大工藝：提升信號完整性，散熱效率直接拉滿
效果：高帶寬下穩(wěn)定運行，告別“發(fā)燒”問題！
通道與速率
位寬：1024bit
單引腳速率：9.6Gbps（達到HBM3e標準）
四、意義：國產芯片的“里程碑式突破”！
國內首個公開HBM3e封裝方案，填補高端空白！
帶寬進入第一梯隊（960GB/s），性能直逼國際大廠！
適配3nm AI芯片，解決國產算力“卡脖子”關鍵難題！
已獲NVIDIA/AMD訂單，國際巨頭認可，國產封裝“支棱”起來了！
五、與國際差距：國產仍需“追趕”，但已看到曙光！
國際頂級水平：
? 帶寬：1.2TB/s
? 堆疊層數(shù)：12/16層
? 良率：98%+
長電科技：
? 帶寬：960GB/s（約國際頂級78%）
? 堆疊層數(shù)：8/12層
? 良率：未詳（預計95%+，接近國際水平）
差距：帶寬、堆疊層數(shù)和量產規(guī)模仍有提升空間，但技術路線已對齊國際，未來可期！
六、一句話總結：國產芯片的“高光時刻”！
長電HBM3e封裝960GB/s，是國內目前最接近國際一線的HBM高端封裝方案，直接解決國產3nm AI芯片“內存墻”瓶頸，國產芯片崛起指日可待！
關注我們，獲取更多科技信息
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網(wǎng)易號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
