國產(chǎn)算力崛起+存儲周期共振，半導體設備ETF國泰（159516）大漲2%

當前半導體產(chǎn)業(yè)正迎來雙重驅動力：一方面，AI算力需求從訓練側向推理側延伸，國產(chǎn)AI芯片市場進入爆發(fā)期，先進制程產(chǎn)能擴張超預期，直接拉動上游設備需求；另一方面，存儲芯片進入超級周期，AI驅動的存儲需求橫跨所有領域，DRAM價格持續(xù)上行，存儲原廠資本開支提升，擴產(chǎn)預期催化設備訂單。在國產(chǎn)算力崛起、存儲周期上行、設備國產(chǎn)化加速三重共振下，半導體設備板塊迎來中長期配置窗口。

半導體設備ETF國泰（159516）午后大漲2%，聚焦刻蝕、薄膜沉積、清洗、量測等核心設備環(huán)節(jié)，覆蓋半導體設備與材料龍頭，是把握本輪半導體上行周期的核心工具。

國產(chǎn)算力崛起，先進制程擴張超預期

中國AI芯片市場進入爆發(fā)期，本土份額從2022年不足15%提升至2025H1接近35%，先進制程產(chǎn)能擴張超預期，直接拉動上游半導體設備需求。

國產(chǎn)AI芯片出貨量高增：申萬宏源指出，借助政策支持與強勁的本地需求，核心企業(yè)憑借自主研發(fā)的產(chǎn)品矩陣，在海外產(chǎn)品出現(xiàn)真空期間逐步填補算力供給缺口。

先進制程供給擴張超預期：根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2026年中國本土先進制程供給擴張進度有望超預期，其中7nm/6nm工藝平臺份額預計擴張至接近20%。大同證券分析，隨著AI應用從訓練側向推理側延伸，市場對算力硬件的低延遲、高吞吐能力提出更高要求，GPU等核心計算芯片正加速向專用化架構演進，推動服務器主板、PCB及光互連等環(huán)節(jié)的技術升級與價值重構。

先進封裝產(chǎn)能需求激增：申萬宏源強調，高算力芯片中先進封裝成本占比已高于20%。以英偉達B200為例，CoWoS及配套測試環(huán)節(jié)價值量占比達21%，博通TPU v6該環(huán)節(jié)占比達25%。未來隨著前道良率提升，KGD數(shù)量提升，需要更多封裝產(chǎn)能。國內(nèi)先進封裝廠商持續(xù)擴產(chǎn)，直接拉動后道設備需求。

存儲進入超級周期，擴產(chǎn)需求外溢設備端

AI驅動的存儲需求橫跨所有領域，2026年服務器成為存儲占比第一的下游應用。新增產(chǎn)能有限，存儲價格維持高位，存儲原廠資本開支提升，直接催化上游設備訂單。

存儲價格持續(xù)上行：大同證券數(shù)據(jù)顯示，2025年6月以來DRAM價格呈現(xiàn)強勁上升趨勢，直接反映AI服務器、新一代PC和數(shù)據(jù)中心對高性能內(nèi)存的強勁需求。申萬宏源分析，預計全球DRAM實際產(chǎn)能從2025年底約196.6萬片提升至2026年底約213.6萬片，增幅有限；NAND Flash產(chǎn)能甚至略有下降，存儲價格有望維持高位。

存儲原廠資本開支加碼：應用材料與美光、SK海力士達成合作，依托EPIC中心加速開發(fā)下一代存儲技術。三星與英偉達合作開發(fā)鐵電NAND閃存。申萬宏源指出，三星Line15/P4L、海力士M16/M15x以及美光OMT工廠均有產(chǎn)能擴張計劃，存儲原廠資本開支提升直接催化設備端需求。

國產(chǎn)存儲進軍第一梯隊：長鑫科技在合肥、北京共擁有3座12英寸DRAM晶圓廠，已成為全球第四、中國第一的DRAM廠商，DDR5最高速率達8000Mbps，LPDDR5X最高速率10667Mbps，達到國際領先水平。長江存儲已實現(xiàn)Xtacking4.0 260L產(chǎn)品迭代。長鑫科技上市在即，募資295億元投向三大存儲項目，將為設備廠商帶來確定性訂單。

設備國產(chǎn)化加速，資本開支進入高峰期

中國大陸半導體設備市場占全球比重約三成，本土設備國產(chǎn)化率已從2024年的25%提升至2025年的35%，設備國產(chǎn)化進入加速期。

資本開支強度持續(xù)：根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，預計至2026年中國大陸半導體設備市場將繼續(xù)領跑所有地區(qū)，金額占全球比重約三成。申萬宏源指出，全環(huán)節(jié)進入資本開支高峰期，本土設備廠商持續(xù)受益高強度資本開支。北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技等龍頭在刻蝕、薄膜沉積等領域持續(xù)突破。

國產(chǎn)化率加速提升：根據(jù)半導體行業(yè)協(xié)會公布數(shù)據(jù)，中國大陸使用本土半導體制造設備的占比已從2024年的25%提升至2025年的35%。設備國產(chǎn)化已從“政策驅動”轉向“性價比驅動”，在成熟制程領域已具備較強競爭力，在先進制程領域持續(xù)突破。

大基金三期有望成為增量：申萬宏源分析，大基金一期、二期對制造環(huán)節(jié)有較大側重，投資了中芯國際、華虹半導體、長江存儲、長鑫存儲等核心企業(yè)。截至2026年3月，大基金三期尚未大規(guī)模落地，2026年有望成為資本開支增量，為設備廠商帶來新一輪訂單周期。

投資建議：半導體設備ETF國泰（159516）聚焦上游核心環(huán)節(jié)

半導體設備是晶圓廠的“鏟子”，在國產(chǎn)算力崛起、存儲周期上行、設備國產(chǎn)化加速三重共振下，設備板塊有望持續(xù)受益于高強度資本開支。

半導體設備ETF國泰（159516）跟蹤中證半導體材料與設備指數(shù)，成分股中設備占比超60%，材料占比超20%，覆蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗、量測等核心環(huán)節(jié)，是目前市場規(guī)模最大、流動性最佳的半導體設備主題ETF。

與覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的芯片ETF不同，半導體設備ETF更聚焦上游“賣鏟人”，在資本開支周期中彈性更大。從估值角度看，設備板塊經(jīng)過調整，估值分位處于歷史中低水平，相比漲幅較大的芯片設計類指數(shù)，安全邊際更優(yōu)，且未來業(yè)績能見度高。對于投資者而言，通過半導體設備ETF（159516）進行布局，既可把握國產(chǎn)算力崛起與存儲周期上行的雙重機遇，也可作為長期配置半導體自主可控的核心品種。

風險提示：提及個股僅用于行業(yè)事件分析，不構成任何個股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考，不代表其未來表現(xiàn)，亦不構成對基金業(yè)績的承諾或保證。觀點可能隨市場環(huán)境變化而調整，不構成投資建議或承諾。提及基金風險收益特征各不相同，敬請投資者仔細閱讀基金法律文件，充分了解產(chǎn)品要素、風險等級及收益分配原則，選擇與自身風險承受能力匹配的產(chǎn)品，謹慎投資。