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來源:內容轉自中國科學院半導體研究所,謝謝。
中國共產黨黨員,中國科學院院士,我國杰出的微電子科學家,中國科學院微電子研究所研究員,中國科學院半導體研究所初創與發展期的重要開拓者吳德馨先生,因病于2026年3月23日在北京逝世,享年90歲。
吳德馨先生與半導體所淵源深厚。半導體所見證了她科研之路的肇始、矢志報國的赤誠,也承載了她二十五載初心不改的堅守、夜以繼日的耕耘。1986年她調離半導體所后,依舊關切研究所發展,傾力襄助國家半導體事業發展。她與半導體所王圩院士伉儷情深、同心報國,共同鑄就了我國科技界一段夫妻院士攜手奮進的傳世佳話。
在此刊發紀念文章,緬懷她為半導體所的建設和我國半導體科技的發展所作的卓越貢獻,寄托我們的哀思。
以身許國 與所同行
1936年,吳德馨先生出生于河北樂亭。1961年,她從清華大學無線電電子工程系畢業,被分配到半導體所工作,在此拓荒攻堅二十五載。
半導體所的創建歷程、吳德馨先生的求學抉擇與畢生追求,都與國家戰略布局緊密相連:1956年,我國十二年科學技術發展遠景規劃將半導體科學技術列入國家新技術“四大緊急措施”,并明確要加強半導體學科體系建設、系統培養專業人才。應國家發展之需,1960年9月6日,半導體所正式成立。清華大學也響應國家號召,強化電子物理、半導體等基礎學科方向建設。作為清華大學首批半導體專業的畢業生,她懷揣著助力國家半導體事業起步的初心投身半導體所發展。
吳德馨先生入所后與王守武、林蘭英、王守覺等學界前輩共事,深受他們的悉心指導與提攜。建所之初,半導體所成立有器件研究室,下設器件組等7個研究組,王守覺先生擔任室主任兼器件組組長,吳德馨先生為組員。自此,她開啟了與我國半導體事業同頻共振、共生共長的奮斗歷程。
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圖1王守武先生、吳德馨先生早年工作照片
初膺重任 成果斐然
從1962年至1964年,在王守覺先生的指導下,吳德馨先生作為課題負責人,承擔了十二年科學技術發展遠景規劃中“平面型高速開關晶體管的研究”,獨立自主地解決了提高開關速度的關鍵問題,開關速度達到當時國際同類產品水平。該技術在中國科學院109廠和上海器件五廠進行了推廣,打破了西方國家對我國的封鎖,為“兩彈一星”配套的“109丙”計算機提供了核心器件,產生了重大的經濟和社會效益,獲全國新產品一等獎。
1965年,吳德馨先生從一名組員成長為器件研究室207組組長。在前期技術積累基礎上,上世紀60年代末,她帶領團隊研制出介質隔離數字集成電路與高阻抗運算放大器模擬電路,為我國早期數字與模擬集成電路的自主研發奠定了基礎。
在事業收獲成就的同時,1966年,吳德馨先生與同為半導體所科研人員的王圩先生結為伉儷。從此,兩人相濡以沫、攜手前進,始終把為祖國半導體事業的發展奉獻力量作為奮斗目標。
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圖2王圩、吳德馨夫妻早年合影
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3王圩、吳德馨夫妻金婚留念
沐春礪行 矢志登攀
1977年,全國自然科學學科規劃會議在北京召開,全國科研單位和高等院校的專家學者及管理干部共1200余人參會。會議結束時,中央領導人華國鋒、鄧小平等接見了參會代表。半導體所王守覺、吳德馨與魏策軍等作為參會代表受到了接見。這次會議是“科學的春天”到來之前的重要序幕,會上鄧小平同志針對我國集成電路產業發展的迫切需求提出,“你們一定要把大規模集成電路搞上去”。半導體所旋即掀起了攻克“4K位MOS動態隨機存儲器”難關的高潮。
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圖4 1977年,全國自然科學學科規劃會議合影,王守覺(二排左二)、吳德馨(四排左一)、魏策軍(后排左一)
1978年底,半導體所承擔N-MOS 4096 位動態隨機存儲器(DRAM)研制重任,前任所領導劉再生同志親自掛帥,王守武先生擔任超凈線總負責人,吳德馨先生具體負責協同工作。作為表面器件研究室405組組長,她在王守武先生的指導下,帶領團隊開展工藝和版圖設計研究,研制成功N-MOS 4096 位動態隨機存儲器(DRAM)。她還在國內首次將正性膠光刻、干法刻蝕等先進工藝用于大規模集成電路研制,獨創“露點法”檢測接觸孔質量,大幅提升了大規模集成電路成品率。隨后,她與團隊接續攻克16K、64K位DRAM 技術,推動了我國存儲器技術迭代升級。
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圖5-1半導體所圖形發生器制作的MOS 4K大改版原版
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圖5-2MOS 16K存儲器原版-多晶硅版
1980年,“N溝MOS 4096位動態隨機存儲器提高管芯成品率的研究”“16K位MOS 動態隨機存儲器”獲得中國科學院科技成果一等獎。
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圖6 1985年,前任所領導劉再生同志(前排右三)祝壽活動合影。王守武(前排右二)、林蘭英(前排右一)、王守覺(前排左二)、王啟明(前排左一)、吳德馨(二排左一)
身赴新程 心系所興
1985年12月,經國家科學技術委員會批準,半導體所研制大規模集成電路的1條超凈線(吳德馨先生領導)、1個研究室和其他2個研究組與109工廠合并,于1986年1月成立了中國科學院微電子中心。吳德馨先生調任副主任,成為我國微電子科研機構建設與技術攻關的核心帶頭人。
吳德馨先生雖然調離半導體所,始終心系自己事業啟航之地,感念研究所同仁昔日給予的關懷與指導。她視王守武院士為恩師,曾在《王守武院士科研活動論著選集》撰文,深情回憶了王守武先生對青年科技人員的指導和幫助,感佩王先生學識淵博、堅韌不拔、實事求是、嚴肅認真、言傳身教、一絲不茍的優秀品質。她一如既往關心半導體所的建設與發展,通過項目評審、資源協調、學術合作、人才指導等多種方式給予大力支持。對于依托半導體所建設的國家光電子工藝中心,她憑借在集成電路工藝、超凈線建設與大規模集成電路研發方面的深厚積累,為中心建設提供權威指導,在評審驗收等關鍵節點發揮了重要作用。
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圖7 國家光電子工藝中心“七五”建設引進項目同行專家預驗收會合影,王守武(前排左七)、吳德馨(前排左五)
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8 國家光電子工藝中心“七五”建設引進項目同行專家預驗收,吳德馨先生(左二)現場考察
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9 1992年1月7日,江澤民同志視察半導體所。溫家寶(前排右五)、周光召(前排右六)、黃昆(前排左四)、王守武(前排右二)、林蘭英(前排右三)、王守覺(前排左二)、吳德馨(二排左五)
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圖10 2020年9月4日,半導體所召開紀念建所60周年學術研討會,吳德馨先生參會
吳德馨先生為祖國的半導體與微電子事業傾注了畢生心血,用一生詮釋了愛國奉獻、嚴謹求實的科學家精神。她的愛國情懷與崇高風范,將激勵我們敢為人先、勇毅前行,為國家半導體科技事業作出積極貢獻。
吳德馨先生千古!德馨長存!
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