ASML也猝不及防！美企推出全新光刻機，競爭加劇了

近幾年，美方為擴大芯片限制，不斷督促荷蘭和日本也實施出口管制，目的就是要擴大光刻機對華出口限制。原因就是自己光刻機產業沒落，日本、荷蘭陸續崛起超越。

如今，美方想要大力提升本土晶圓制造能力，才發現自己能夠生產光刻機的重要性。近日有消息傳來，美方新創光刻機廠商開發出了全新光刻機，令ASML也猝不及防！

我們都知道，美方在半導體的很多方面都很領先，但現在能生產芯片制造用的光刻機僅有3個國家4個企業，分別是荷蘭、日本和我國，美方已經沒有生產光刻機能力。

然而，最早的光刻機巨頭卻是美企，只不過后來被日本光刻機企業超越，逐步沒落了。

上世紀80年代，日本不僅在芯片上一舉超過了美方，日本的尼康和佳能也成了“光刻機雙雄”。后來雖然美方把日本芯片產業制裁到沒落，但日本光刻機產業還在繼續。

不過，這也在美方心早留下了陰影，以至于后來力推荷蘭ASML、打壓日本尼康佳能。

日本的尼康和佳能雖然光刻機又領先了一段時間，但在干濕技術競爭上徹底失算，讓荷蘭ASML一舉實現了超越，憑借浸沒式DUV光刻機，一舉成為新的光刻機霸主。

再后來，美企英特爾牽頭成立的聯盟組織研發出了EUV技術，ASML和尼康都申請加入研發，但美方拒絕了尼康加入，讓ASML獨享技術，又成了EUV光刻機巨頭。

如今，荷蘭企業ASML成了全球光刻機巨頭，占據了全球大部分光刻機市場，EUV光刻機更是獨家壟斷。日本尼康和佳能雖然還在繼續，但主要從事中低端光刻機了。

目前7nm及以下先進制程芯片制程都要用ASML的EUV光刻機，再往下的埃米級制程則要用ASML的新一代High NA EUV光刻機，不過這些EUV的價格卻很高昂。

ASML的一般EUV光刻機一臺售價約1.5億美元，High NA EUV更是高達4億美元。

這也是美方新創光刻設備廠商Substrate要研發全新光刻機的原因之一，Substrate認為ASML的EUV需要一整套復雜的系統，導致光刻機和晶圓制造成本持續飆升。

為了實現芯片制造成本的大幅降低，Substrate想要發明一種新光刻技術，能夠生產當前先進芯片所需的關鍵圖案，同時這種技術成本更低、更簡單、制造速度也更快。

于是，美企Substrate研發了X射線作為光源的光刻機，波長比新EUV的光源更短。

據了解，Substrate的X射線光源利用粒子加速器產生，波長介于0.01nm到10nm之間，能大幅提升分辨率，甚至不需要光掩模就能直接在硅片上刻畫所需精細圖案。

Substrate想以比競爭對手更低的成本生產設備，來大幅降低尖端制程芯片制造成本。

如今，建造先進制程晶圓廠的成本超過150億美元，臺積電制造先進制程芯片需耗資數十億美元，這對英特爾、三星等一直是個挑戰，所以他們也急需降低制造成本。

Substrate方面表示，美方發明了現代半導體所有基礎技術，包括晶圓管、集成電路、光刻技術、EUV技術等，但過去10年美方失去了半導體生產和供應鏈領先地位。

尤其是先進光刻機技術是美方的最大失誤之一，美方研發出了EUV光刻機技術，但并沒有自己去應用生產，反而技術被轉移到國外并獲得認可，導致國外光刻機領先。

Substrate就是要利用新光刻技術建下一代晶圓廠，讓美方重返半導體制造主導地位。

對此，有外媒直接表示，光刻機競爭加劇了！荷蘭ASML恐怕也沒有料到，連美企都要跟自己競爭，挑戰自己的光刻機霸主地位，看來ASML的競爭對手越來越多了。

雖然美企Substrate研發的X射線波長很短、能降低生產成本，但X射線光刻技術并不是一項新技術，俄羅斯和我們都有研究，但因為效率問題，目前主要用于實驗。

美企Substrate想要投入使用，還需要解決一系列難題，能不能盡快投入使用不好說。