SK海力士計劃年內超半數DRAM產能轉換為1c工藝產品，科創半導體ETF華夏（588170）和半導體設備ETF華夏（562590）盤中漲超2%

截至2026年4月9日10:51，科創半導體ETF華夏（588170）上漲2.19%，半導體設備ETF華夏（562590）上漲2.08%，沖擊三連漲。

熱門個股方面，新益昌上漲7.44%，中科飛測上漲6.45%，中船特氣上漲5.89%，拓荊科技，華海清科等個股跟漲。

流動性方面，科創半導體ETF華夏盤中換手6.04%，成交5.17億元；半導體設備ETF華夏盤中換手3.14%，成交8294.75萬元。

規模方面，科創半導體ETF華夏近1周規模增長3.08億元，實現顯著增長，新增規模領先同類；半導體設備ETF華夏最新規模達26.22億元。

資金流入方面，半導體設備ETF華夏最新資金凈流出3763.77萬元。拉長時間看，近9個交易日內，合計“吸金”2048.75萬元。

消息面上，SK海力士正在加快提升其10納米第六代（1c）DRAM的競爭力，用于該工藝的極紫外（EUV）設備投資也比原計劃增加了約三倍。業內人士透露，SK海力士正集中精力推進1c DRAM技術的發展，以應用于第七代高帶寬內存（HBM）HBM4E核心芯片，并計劃于今年交付樣品。由于HBM的最大客戶英偉達計劃于明年下半年推出搭載HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士必須加快研發步伐。業內人士透露，SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已升至80%。該公司計劃今年將其超過一半的DRAM產能轉換為1c工藝產品，預計到年底將確保約19萬片的產能。

招商證券指出，2026年全球晶圓廠資本開支持續增長，國內先進及成熟制程擴產均可期。1）存儲方面，預計2026年DRAM和NAND資本開支增長，但預計整體位元產出有限。①預計2026年DRAM資本支出增長14%，三大原廠面向1c制程及HBM4擴張。②預計2026年NAND資本支出增長5%，主要系鎧俠BiCS9/BiCS8研發量產及美光G9和eSSD。考慮到潔凈室空間限制，DRAM及NAND位元增長有限。③國內存儲原廠預計持續擴產，市占率有望持續提升；2）邏輯方面，2026年全球晶圓代工資本支出的年增長預估為13%，多數企業的資本支出呈現小幅成長或持平狀態，資金主要投向先進工藝產能，成熟制程工藝仍然處于積極擴產態勢；中芯/華虹等明年持續有新增產能釋放。

相關ETF：科創半導體ETF華夏（588170）及其聯接基金（A類：024417；C類：024418）：跟蹤指數是科創板唯一的半導體設備主題指數，其中先進封裝含量在全市場中最高（約50%），聚焦于科技創新前沿的硬核設備公司。

半導體設備ETF華夏（562590）及其聯接基金（A類：020356；C類：020357）：跟蹤中證半導體材料設備主題指數，其中半導體設備的含量在全市場指數中最高（約63%），直接受益于全球芯片漲價潮對“賣鏟人”（設備商）的確定性需求。