中安半導(dǎo)體邀您共赴SEMICON China 2026，見證新品重磅發(fā)布！

2026年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入先進制程迭代的關(guān)鍵期。隨著器件架構(gòu)由二維向三維高度集成演進，制程窗口顯著收窄，結(jié)構(gòu)遮擋與信號衰減令傳統(tǒng)檢測手段觸及瓶頸。關(guān)鍵尺寸、形貌及缺陷偏差對良率的影響日益凸顯，量檢測技術(shù)已成為定義制程成敗的核心“錨點”。

作為國內(nèi)量測與檢測領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，中安半導(dǎo)體將于3月26日13:30在上海卓美亞喜馬拉雅酒店舉辦“SEMICON China 2026 線下專場發(fā)布會”，邀請行業(yè)專家共同探討國產(chǎn)設(shè)備在先進制程“深水區(qū)”的突圍路徑。

主要議題：定義精度，突破極限

本次發(fā)布會將深度聚焦先進制程極限檢測、先進封裝三維量測與面向襯底量測解決方案等三大核心板塊，展示中安在良率提升領(lǐng)域的最新科研成果：

• 先進節(jié)點缺陷檢測技術(shù)：分享如何在極微觀尺度下實現(xiàn)10.5nm的最佳靈敏度。通過高數(shù)值孔徑與低噪聲TDI成像技術(shù)的協(xié)同設(shè)計，為晶圓制造裝上“顯微雷達”，精準捕捉足以導(dǎo)致電路失效的關(guān)鍵缺陷。

• 面向先進封裝的三維量測方案：針對HBM、3D IC及鍵合工藝，首度分享針對復(fù)雜鍵合工藝的高精度預(yù)測模型，其預(yù)測相關(guān)性遠超行業(yè)傳統(tǒng)方案。

• 面向襯底量測解決方案與最新技術(shù)前瞻：中安在線切、雙面研磨、拋光及外延生長等環(huán)節(jié)，對晶圓的平整度和厚度均勻性進行亞納米級的監(jiān)控，推出最新設(shè)備技術(shù)參數(shù)前瞻。

未來方向：擴展邊界，引領(lǐng)創(chuàng)新

自公司成立以來，中安半導(dǎo)體持續(xù)跨越技術(shù)邊界，不僅在硬件指標上對標國際一流，更致力于通過自主算法創(chuàng)新打破技術(shù)壟斷，通過自主創(chuàng)新服務(wù)于各類硅片及芯片制造企業(yè)。3月26日，中安將展示公司最新的技術(shù)進展，旨在以更精準、高效的服務(wù)協(xié)助客戶優(yōu)化生產(chǎn)良率，共同推動國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展。

關(guān)于中安半導(dǎo)體

中安半導(dǎo)體是一家專注于半導(dǎo)體量測與檢測領(lǐng)域的高科技公司，為硅片廠、IC Fabs和設(shè)備廠商提供高精度量檢測解決方案。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于設(shè)備與工藝開發(fā)、硅片生產(chǎn)、集成電路制程、先進封裝等環(huán)節(jié)。目前，中安形貌量測設(shè)備國內(nèi)裝機量領(lǐng)先，顆粒檢測設(shè)備市場推廣速度迅猛。

在晶圓幾何形貌量測領(lǐng)域，中安半導(dǎo)體量測系列設(shè)備具備高分辨率與高密度采樣能力，可實現(xiàn)有圖形與無圖形雙模式量測，能夠精準捕捉應(yīng)力分布、套刻誤差、翹曲度及平坦度等關(guān)鍵參數(shù)變化，現(xiàn)已成為晶圓制造、DRAM及IC制造與設(shè)備生產(chǎn)過程中品圓幾何形貌量測的行業(yè)標準解決方案。

在晶圓顆粒檢測領(lǐng)域，中安半導(dǎo)體構(gòu)建了高靈敏度顆粒檢測產(chǎn)品體系，設(shè)備最小檢測靈敏度由26nm不斷突破至10.5nm，能夠廣泛滿足傳統(tǒng)制程以及先進制程客戶在良率提升與工藝優(yōu)化方面的核心需求。

面向未來，中安計劃推出面向更先進工藝節(jié)點的量檢測解決方案，持續(xù)擴展技術(shù)邊界，為集成電路產(chǎn)業(yè)提供更高精度、更高效率的檢測與量測支持。

*免責聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。

今天是《半導(dǎo)體行業(yè)觀察》為您分享的第4355內(nèi)容，歡迎關(guān)注。

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