北京
中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商近日宣布，國(guó)產(chǎn)28nm DUV光刻機(jī)已通過量產(chǎn)驗(yàn)證，標(biāo)志著我國(guó)在高端芯片制造裝備領(lǐng)域取得重要突破。
這一進(jìn)展的重要意義：
- 填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在成熟制程光刻機(jī)領(lǐng)域的空白
- 28nm工藝可滿足大部分汽車芯片、物聯(lián)網(wǎng)芯片的需求
- 設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到85%以上，供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)大幅降低
- 單臺(tái)設(shè)備售價(jià)較進(jìn)口產(chǎn)品低約40%
業(yè)內(nèi)專家表示，雖然與ASML的EUV光刻機(jī)仍存在代差，但28nm光刻機(jī)的突破證明了中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)具備攻克技術(shù)難關(guān)的能力。
預(yù)計(jì)到2026年底，國(guó)產(chǎn)28nm光刻機(jī)的年產(chǎn)能將達(dá)到50臺(tái)以上，屆時(shí)將顯著緩解國(guó)內(nèi)芯片代工廠的設(shè)備供應(yīng)壓力。下一步，研發(fā)團(tuán)隊(duì)將向14nm節(jié)點(diǎn)發(fā)起沖擊。
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