(全球TMT2026年3月13日訊)近年來(lái)第三代半導(dǎo)體材料如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在數(shù)字電源中的應(yīng)用逐漸嶄露頭角,推動(dòng)電源向小型化、高效化方向邁進(jìn),但與傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體材料相比,其成本依然較高,這在一定程度上制約了其在大規(guī)模應(yīng)用中的普及速度。針對(duì)電源行業(yè)對(duì)高效率、低成本以及雙向工作能力的迫切需求,極海推出了全數(shù)字雙向電源參考方案。該方案采用單顆G32R501實(shí)時(shí)控制雙核MCU,基于兩相交錯(cuò)的圖騰柱PFC和LLC諧振變換器,結(jié)合傳統(tǒng)硅MOSFET,實(shí)現(xiàn)兩級(jí)變換器雙向軟開(kāi)關(guān)工作。
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極海G32R501全數(shù)字雙向電源參考方案,具備高效率、高可靠、高轉(zhuǎn)換率、低噪聲和高性價(jià)比等特點(diǎn),同時(shí)配備全面的輸入/輸出保護(hù)和軟啟動(dòng)功能,適用于通信電源、服務(wù)器電源、便攜儲(chǔ)能電源等多種場(chǎng)景。該電源由兩級(jí)功率拓?fù)鋯卧M成,前級(jí)為兩相交錯(cuò)圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)電路,采用600V傳統(tǒng)的硅功率MOSFET;后級(jí)LLC諧振變換器采用原邊全橋結(jié)構(gòu),并通過(guò)兩個(gè)變壓器分?jǐn)倱p耗,副邊由兩組全波同步整流電路并聯(lián)構(gòu)成。G32R501主頻高達(dá)250MHz,可在單核內(nèi)實(shí)現(xiàn)兩級(jí)變換器控制環(huán)路;內(nèi)置PWM、COMP和CAP等;AC-DC和DC-DC兩級(jí)變換器,支持軟開(kāi)關(guān)和雙向控制。極海目前已與多家終端廠家開(kāi)展了深度合作。
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