10億真金砸向氮化鎵激光芯片，資本下注的遠不止一塊芯片

文 | 產業觀察室

不逐百億喧囂，亦可舉重若輕。

近期，格恩半導體新一輪 10 億元融資引發行業廣泛關注，其中股權融資 6 億元、債權融資 4 億元。

據知情人士透露，該筆融資將重點投向氮化鎵（GaN）基激光芯片領域，用于技術研發與產能擴張。

在半導體行業動輒百億融資的語境下，十個億不一定很搶眼，卻足夠扎實、耐看。

實際上，讓人矚目的不是這筆融資的規模，而是它背后站著的投資人陣容：多家國有資本投資機構主導，并吸引多家知名社會化投資機構跟投。

公開資料顯示，格恩半導體成立于2021年，坐落于皖西小城六安，項目總投資20億元。

對此，知名投資人、國科新能創投創始合伙人方建華直言，資本向來是不說虛話的，其投向本身就是最“實誠”的市場信號，很多時候比行業報告更具參考價值。

單從項目投資額來看，格恩在半導體行業看上去距離“巨無霸”量級還較遠，但有些東西并非單純用錢就能堆出來的，比如時間。

從成立到2023年8月實現氮化鎵激光芯片國內首次規模化量產，格恩只用了兩年。從實驗室樣片到產線落地，僅用180天。

格恩的這般節奏，在日亞化學等海外廠商長期壟斷下的高端氮化鎵激光芯片領域，撕開了國產替代的關鍵缺口。

筆者了解到，氮化鎵激光芯片在通信傳感、測距指示、科研軍工、汽車制造、特種照明、醫療衛生、工業制造以及消費電子等眾多領域應用廣泛。由于其極高的技術壁壘，相關技術長期被國外封鎖。

在這里，說一個專業性問題，氮化鎵激光芯片的難點遠非設計層面所能概括，其核心瓶頸集中于外延材料的生長制備。在原子尺度上把多層不同材料的薄膜精準堆疊，每一層的厚度、組分、應力都精確到不可思議的程度。

多量子阱的結構設計直接決定激光器的效率和壽命。鏈條上任何一個環節出了偏差，出來的就是廢片。這也是少數發達國家長期保持技術壟斷的重要原因。

格恩的解題思路是全產業鏈垂直整合，即所謂的IDM模式。

從芯片設計、外延生長、芯片制造到特種封裝，再到模組、器件、整機制造，全鏈條握在自己手里。

這種打法在氮化鎵激光領域并不多見，燒錢，費人，耗時間。但好處是技術閉環，迭代速度快，不受制于人。很快，該打法就在市場端轉化為爆發力。公開資料顯示，2025年，格恩半導體核心產品營收同比增長近四倍，市場份額突破20%。

這條增長曲線斜率不小。在第三代半導體中這個以“燒錢”著稱的賽道里，這樣的增速可不常見。

而更大的看點在于這條高斜率增長曲線背后的東西，它告訴市場，國產氮化鎵激光芯片不僅僅是被動替代，更在主動滲透。

事實上，氮化鎵激光芯片這個細分方向，此前很長一段時間并不在資本的主流視線里，但變化正在一點點地發生。

這些年，氮化鎵激光芯片的應用領域正在快速擴張，其中激光顯示是最穩的基本盤。在工業加工領域，450納米藍光激光對銅、鋁、金等高反射金屬的吸收率比傳統紅外激光高出五到十倍，航空航天和新能源汽車電池焊接的效率提升三成以上，能耗降低將近兩成。

而激光照明也在汽車領域嶄露頭角，寶馬、蔚來、理想等高端車型已經批量搭載基于氮化鎵藍光激光的遠光模組。

更值得留意的是產業自身的演變節奏。2025年11月發布的《氮化鎵半導體激光器產業發展藍皮書》給出了一個清晰的判斷，這個產業已經整體跨越了導入期，正式進入由下游應用強力牽引的黃金發展期。

全球市場的數據也在佐證這個判斷。據恒州誠思調研統計，2024年全球氮化鎵激光芯片收入規模約26.7億元，到2031年有望接近64.3億元，年復合增長率為13.3%。

而中國氮化鎵激光芯片的市場增速，目前是高于全球平均水平的。值得關注的不僅是增速，還有一個結構性窗口：需求擴張與國產替代在時間軸上產生重疊。

回到資本層面，在格恩半導體的投資方陣容里，國科新能創投一定是一個值得細看的名字。早在2023年初，該機構就投資了格恩，也正是在當年的8月份，格恩實現了國內首次規模化量產。從這一前一后的節點中不難看出，該機構的投資研判、產業賦能和資源加持多么具有前瞻性。

相關資料顯示，這家VC機構聚焦新能源汽車產業鏈相關的新材料、新技術、芯片、先進制造等領域。

該機構創始合伙人方建華把當下的創投邏輯講得很透：中國VC行業正穩步邁入2.0時代，發展邏輯從交易性的金融套利轉變為挖掘價值和創造價值。當下，創投機構要從“價值獵手”轉向“價值工程師”，真正做到“三分投、七分管”。

這些話聽起來算不上華麗，但字里行間的分量可見一斑。硬科技投資不同于互聯網模式創新，從研發到商業化往往需要五年甚至十年。

“一家科創企業從創立到盈虧平衡，中間要跨過太多的關卡，只有親歷者才深知每一步都如履薄冰，更明白里邊九死一生的殘酷現實。”

方建華坦言，在創投市場上，光投錢給企業肯定是不夠的，資源對接、市場開拓、管理咨詢、戰略引導、金融支持，這些東西往往比資金本身更金貴，不是所有的VC機構都愿意這樣陪跑的。從他的話語里，似乎可以看到一路陪跑格恩半導體的初心和定力。

平心而論，當前的資本環境并不算寬松。數據顯示，2025年中國VC、PE市場新成立基金6127只，募資規模合計3.09萬億元。募資端承壓，退出端也在經歷深刻調整。IPO收緊、估值回調、一二級市場估值倒掛，整個行業都在尋找新的平衡點。

在如此背景下，格恩半導體能夠融資10個億，說明優質硬科技資產在市場上仍然具備足夠的吸引力。國有資本的參與為項目提供了信用背書，而社會化資本的跟進則是市場對技術路線和商業模式的雙重認可。

從更深一層看，格恩半導體的融資結構也透露出一些信息。6億元股權融資加4億元債權融資，股債搭配的安排不是隨意的。股權部分解決長期發展的資本需求，債權部分則對產能擴張提供更靈活的財務支持。

在半導體行業，產能擴張往往伴隨著設備采購、產線建設、人才引進等一系列大額前期投入，債權融資在這方面具備獨特的效率優勢。

圈內的人都知道，在氮化鎵激光芯片這個賽道上，格恩并不是唯一的“玩家”，颶芯科技、鑫威源等企業也在快速布局。

“這一賽道的市場格局尚未定型，誰能跑出來，不光看技術，還看企業家格局，看產能，看成本，看供應鏈韌性。”

方建華一語中的，他認為資本從來不缺乏耐心，只缺乏值得耐心的理由。格恩半導體“燒”錢四年多，“燒”出了國內鮮有的氮化鎵激光芯片量產能力，“燒”出了IDM全鏈條布局。這些硬功夫，也是資本愿意陪著跑下去的底氣。

兩個月前，他在某財經媒體發表觀點：真正的投資不在于追逐風口的喧囂，而在于順應趨勢、培育風口的堅守；真正的價值不生于泡沫堆砌的浮華，而淬煉于深耕創造的篤行。

從方建華的觀點中，我們反觀格恩半導體十億融資這個事兒，與其說是一場資本的盛宴，不如說是一場“耐心”的回響。

跳出各類紛繁復雜的創投敘事框架，格恩半導體以數年磨劍的沉潛，鑿出了一條屬于長期主義者的“窄門”。

或許這些“窄門”走久了，才知道這世上所有的“快”，到頭來都貴不過一個“耐”字。