全球首只純內存芯片ETF橫空出世 對存儲股是喜是憂？

財聯社4月7日訊（編輯 劉蕊）隨著AI熱潮席卷全球，市場對于人工智能基礎設施的關注點正悄然從GPU轉向一個更為根本的瓶頸——存儲。在內存芯片市場備受關注之際，全球一只直接押注全球內存芯片賽道的ETF也應運而生。

上周四（4月2日），由Roundhil推出的內存芯片ETF——Roundhill Memory ETF（代碼為“DRAM”）正式上市美股，被定位為市場上首款“純內存ETF”。

周一這只ETF收報29.16美元，漲1.40美元或5.04%。

作為當前市場上首個專注于投資內存芯片的ETF，DRAM ETF反映出當前內存市場的熱度已經足夠火爆。但是，也有不少投資者擔憂，這只ETF可能會成為標志著存儲市場已經過熱，或許會成為警示多頭的“反向賣出指標”。

首款專注內存股的ETF登陸美股市場

根據公告信息，DRAM ETF是一款主動管理型ETF，費率為0.65%，投資于一系列內存和存儲產品制造商，目前僅持有九只股票。只有50%以上收入來自HBM、DRAM、NAND的芯片公司才能被納入。

該ETF主要重押全球三大DRAM巨頭：美光科技（24.99%）、三星電子（24.22%）、SK海力士（23.83%），三者合計權重超七成。

其投資組合還納入了閃迪、日本鎧俠、西部電子、希捷、以及臺灣的南亞科和華邦電等內存大廠。

相較于傳統半導體ETF（涵蓋設計、設備、晶圓代工的廣泛配置），DRAM這只ETF更強調專注于投資存儲芯片相關企業，直接押注AI時代最關鍵的資料儲存與頻寬需求。

對于美國本土的投資人而言，既使SK海力士即將在美上市，但是其他一些內存股重要標的，例如三星電子，在海外上市，很難被其他ETF所羅列，投資渠道較有限。

市場人士指出，DRAM ETF的誕生，實際上具有重要象征意義——它不應僅僅被視為“又一只半導體主題ETF”，而真正重要的是，它標志著資本市場首次將“內存芯片”從更廣泛的半導體領域中剝離出來，創造了一個可以直接交易、推廣和定價的獨立主題。

任何主題，一旦被命名、包裝并上市交易，就完成了從工業邏輯到金融邏輯的飛躍。DRAM ETF的誕生正是這一轉變的標志。

標志市場過熱的“反向指標”？

然而，任何被市場廣泛認可的敘事，一旦進入ETF階段，就必須面對一個令人不安的問題：現在是不是已經過熱了？

一些機構根據歷史經驗認為，當一個細分行業變得足夠熱門、以至于催生出專門的ETF時，這通常表明該行業的熱度已經進入了相對后期的階段。

BTIG首席市場技術分析師喬納森·克林斯基就是這一觀點的支持者。他指出，新推出的DRAM ETF可能正預示著存儲周期即將達到頂峰。

克林斯基指出，過去一年，高盛科技、媒體和電信（TMT）存儲指數已經上漲了350%，并在今年2月份達到了400%以上的漲幅峰值。而DRAM ETF直到現在才推出，這是一個明顯的“反向賣出信號”。

“如果歷史可以作為參考，那么現在正是你應該出售那些被人們記住的名字的時候，”克林斯基直言。

克林斯基列舉了過去幾年內的幾只專注于熱門主題的ETF——這些ETF都“以極其精準的方式發揮了反向指標的作用”。

比如，Roundhill Meme Stock ETF（股票代碼：MEME）于2021年12月推出，追蹤瑞銀的MEME股票指數。該ETF在2023年11月關閉前，累計跌幅超過70%。

另一個舉例則來自VanEck Vectors煤炭ETF，該ETF于2008年1月推出，并主要追蹤道瓊斯煤炭指數作為代表。而該ETF在2020年12月關閉前承受了巨大跌幅，但道瓊斯煤炭指數自該ETF關閉之后，卻出現了大幅上漲。

此外類似的例子還有很多，比如2021年10月比特幣期貨ETF推出后，已累計下跌超過77%等等。

在這些“前車之鑒”下，克林斯基不得不懷疑，DRAM ETF可能也會走上類似的道路，標志著內存市場“正處于這輪拋物線式上漲的最后階段”。

他特別指出，DRAM ETF最為重倉的股票——美光科技——當前的股價已經看起來“高得驚人”，其近期交易價格已比200日移動平均線高出150%以上，這是“歷史上最大的價差，超過了科技泡沫時期的任何情況”。而在這一背景下，DRAM ETF很可能也將面臨管理市值大幅回落的風險。