日本初創(chuàng)公司，要顛覆HBM

SAIMEMORY正將其專(zhuān)有的ZAM定位為HBM的潛在繼任者。

據(jù)報(bào)道，隨著物理極限開(kāi)始制約當(dāng)前的AI架構(gòu)，由軟銀支持的日本初創(chuàng)公司SAIMEMORY正將其專(zhuān)有的Z-Angle Memory(ZAM)定位為高帶寬內(nèi)存(HBM)的潛在繼任者。

SAIMEMORY成立于2024年12月，并獲得了英特爾的技術(shù)支持。該公司于2025年7月開(kāi)始全面運(yùn)營(yíng)，并于2026年2月在東京舉行的英特爾開(kāi)發(fā)者活動(dòng)上首次公開(kāi)亮相。

這一舉措出臺(tái)之際，內(nèi)存性能正難以跟上AI處理器快速發(fā)展的步伐。過(guò)去五年中，英偉達(dá)(Nvidia)的GPU性能提升了5到10倍，而同期HBM的數(shù)據(jù)傳輸速度僅提高了2到3倍。

HBM通過(guò)水平堆疊內(nèi)存裸片來(lái)實(shí)現(xiàn)性能提升，但這種方法正接近其物理極限。目前的設(shè)計(jì)已達(dá)到16層，而擴(kuò)展到20層以上則日益受到功耗和散熱挑戰(zhàn)的制約。

SAIMEMORY首席執(zhí)行官Hideya Yamaguchi表示，現(xiàn)有內(nèi)存技術(shù)可能會(huì)在2030年左右達(dá)到極限，屆時(shí)公司計(jì)劃推出ZAM。

與傳統(tǒng)的HBM不同，ZAM采用沿Z軸排列內(nèi)存裸片的垂直堆疊結(jié)構(gòu)。這種設(shè)計(jì)旨在改善散熱，并將堆疊容量從大約20層擴(kuò)展到多達(dá)100層，同時(shí)提升性能并降低功耗。

該架構(gòu)還有助于應(yīng)對(duì)AI數(shù)據(jù)中心不斷增長(zhǎng)的能源需求。SAIMEMORY的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)2到3倍于HBM的內(nèi)存容量，功耗僅約為其一半，價(jià)格相當(dāng)或更低，同時(shí)提高數(shù)據(jù)傳輸速度。

SAIMEMORY計(jì)劃專(zhuān)注于知識(shí)產(chǎn)權(quán)和設(shè)計(jì)，將制造外包給合作伙伴。原型生產(chǎn)預(yù)計(jì)將涉及新光電氣工業(yè)(Shinko Electric Industries)和臺(tái)灣的力晶積成電子制造股份有限公司(PSMC)，并獲得日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的支持。

該公司正在推行以合作伙伴為驅(qū)動(dòng)的生態(tài)系統(tǒng)戰(zhàn)略，利用與英特爾和軟銀的關(guān)系，同時(shí)尋求更多全球合作伙伴。Yamaguchi表示，SAIMEMORY還可能通過(guò)授權(quán)或合同制造的方式與現(xiàn)有內(nèi)存制造商合作。

這家初創(chuàng)公司目前擁有約30名員工，并正在繼續(xù)擴(kuò)張。

SAIMEMORY也可能成為日本更廣泛半導(dǎo)體政策推動(dòng)的一部分。根據(jù)2025年8月生效的修訂法律，政府可以直接投資包括內(nèi)存公司在內(nèi)的半導(dǎo)體企業(yè)。在向Rapidus投資1000億日元之后，官方表示可能會(huì)考慮投資像SAIMEMORY這樣的AI內(nèi)存公司。

SAIMEMORY計(jì)劃在2027財(cái)年前投資80億日元開(kāi)發(fā)原型，目標(biāo)是在2029財(cái)年左右實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

這一努力正值內(nèi)存供應(yīng)趨緊和價(jià)格上漲之際。根據(jù)Counterpoint Research的數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2026年第一季度DRAM價(jià)格將環(huán)比上漲約90%。

預(yù)計(jì)富士通(Fujitsu)和理化學(xué)研究所(RIKEN)將提供額外投資，有猜測(cè)稱(chēng)ZAM可能會(huì)被應(yīng)用于日本“富岳”(Fugaku)超級(jí)計(jì)算機(jī)的繼任者中。

Yamaguchi表示，公司已經(jīng)看到了潛在客戶(hù)的濃厚興趣，盡管擴(kuò)大組織規(guī)模和尋找合作伙伴仍然是關(guān)鍵挑戰(zhàn)。

美光：DDR5利潤(rùn)率現(xiàn)已超過(guò)HBM

美光科技公司表示，包括DDR5在內(nèi)的傳統(tǒng)DRAM的利潤(rùn)率最近已經(jīng)超過(guò)了HBM的利潤(rùn)率，這反映了長(zhǎng)期合同結(jié)構(gòu)和供應(yīng)緊張狀況的綜合影響。

據(jù)美光公司稱(chēng)，HBM 和傳統(tǒng) DRAM 目前利潤(rùn)都很豐厚，但通用 DRAM（包括用于 PC 和智能手機(jī)的產(chǎn)品）的利潤(rùn)率已經(jīng)超過(guò)了 HBM。HBM 采用先進(jìn)封裝技術(shù)將多個(gè) DRAM 芯片堆疊在一起，通常制造工藝更復(fù)雜，價(jià)格也更高。自去年以來(lái)，受英偉達(dá)和 AMD 等公司推出的 AI 加速器推動(dòng)，對(duì) HBM 的需求激增。

利潤(rùn)率動(dòng)態(tài)變化的原因主要有兩個(gè)。

首先，HBM 的供應(yīng)越來(lái)越受長(zhǎng)期協(xié)議的制約，美光將其稱(chēng)為戰(zhàn)略客戶(hù)協(xié)議 (SCA)。首席商務(wù)官 Sumit Sadana 表示，HBM 的價(jià)格通常在年初之前就已確定，2026 年出貨量的很大一部分是在去年年底定價(jià)的。雖然此類(lèi)協(xié)議能夠提供穩(wěn)定且可預(yù)測(cè)的收入，但除了超出合同供應(yīng)量的增量生產(chǎn)外，它們限制了存儲(chǔ)器制造商立即從價(jià)格快速上漲中獲利的能力。

其次，傳統(tǒng)DRAM市場(chǎng)受益于強(qiáng)勁的需求和受限的供應(yīng)。HBM的生產(chǎn)比標(biāo)準(zhǔn)DRAM消耗更多的晶圓產(chǎn)能，從而減少了通用產(chǎn)品的可用供應(yīng)。與此同時(shí)，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和消費(fèi)電子設(shè)備的需求依然強(qiáng)勁，導(dǎo)致供應(yīng)短缺。受此影響，DRAM現(xiàn)貨價(jià)格飆升。美光表示，DRAM平均售價(jià)近期上漲超過(guò)60%，使得傳統(tǒng)DRAM利潤(rùn)率能夠反映實(shí)時(shí)價(jià)格上漲，而HBM價(jià)格則基本受合同約束。

盡管DRAM短期內(nèi)具有盈利優(yōu)勢(shì)，但美光表示，公司不會(huì)采取純粹以利潤(rùn)為導(dǎo)向的產(chǎn)品分配策略。相反，公司正在推行一種平衡的戰(zhàn)略，以滿(mǎn)足客戶(hù)的全部系統(tǒng)需求，尤其是在人工智能服務(wù)器領(lǐng)域。

現(xiàn)代人工智能服務(wù)器部署需要HBM和DDR5 DRAM的組合。如果只優(yōu)先考慮利潤(rùn)率更高的產(chǎn)品，可能會(huì)延遲客戶(hù)發(fā)貨，最終損害美光自身的營(yíng)收表現(xiàn)。

首席執(zhí)行官桑杰·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra)強(qiáng)調(diào)了產(chǎn)品類(lèi)別之間需要保持平衡，并指出大規(guī)模系統(tǒng)出貨需要“自然平衡”，而且 HBM 和 DRAM 必須作為完整解決方案的一部分一起供應(yīng)。

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