為國鑄“芯”六十五載：中科院院士吳德馨逝世，曾為“兩彈一星”立下汗馬功勞

2026年3月23日，中國科學(xué)院院士、我國著名微電子學(xué)家吳德馨因病在北京逝世，享年90歲。

這位從清華園走出的女科學(xué)家，用長達六十余年的科研生涯，親歷并推動了中國半導(dǎo)體事業(yè)從無到有、從弱到強的壯闊歷程。

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吳德馨院士

拓荒者的選擇：從清華到“兩彈一星”

1936年，吳德馨出生于河北樂亭。1961年，她作為清華大學(xué)無線電電子工程系首批半導(dǎo)體專業(yè)畢業(yè)生，將個人理想融入國家急需。

彼時，西方對我國實行嚴(yán)密的技術(shù)封鎖，為研制“兩彈一星”，急需高性能的計算機核心元件。

吳德馨臨危受命，在中科院半導(dǎo)體研究所主持研發(fā)出平面型高速開關(guān)晶體管。

這一關(guān)鍵突破打破了國際封鎖，成功應(yīng)用于“兩彈一星”配套的“109丙”計算機，為我國國防尖端事業(yè)立下汗馬功勞。

奠基者的突破：讓集成電路“中國造”

改革開放后，面對我國集成電路長期依賴進口、成品率極低的困境，吳德馨再次扛起重擔(dān)。

她帶領(lǐng)團隊在國內(nèi)率先攻克大規(guī)模集成電路核心技術(shù)，先后成功研制出4K、16K及64K位動態(tài)隨機存儲器。

這些成果不僅刷新了當(dāng)時國內(nèi)集成度的紀(jì)錄，更通過開發(fā)雙層多晶硅等關(guān)鍵工藝，顯著提升了芯片成品率，為中國集成電路走上工業(yè)化道路奠定了堅實基礎(chǔ)。

此后，她持續(xù)引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新，先后領(lǐng)導(dǎo)開發(fā)了3微米和0.8微米CMOS成套工藝，并前瞻性地布局化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，成功研制出0.1微米砷化鎵器件及10Gbps光纖通信電路，使我國在高速通信芯片領(lǐng)域追趕上世界步伐。

建言者的擔(dān)當(dāng)：為產(chǎn)業(yè)未來鞠躬盡瘁

作為中國科學(xué)院院士及中科院微電子中心原主任，吳德馨不僅在科研上銳意進取，更在擔(dān)任全國人大常委會委員期間，多次參與國家科技規(guī)劃制定，為推動中國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控發(fā)出重要聲音。

她的一生，正如其名字所寓，以德馨之志，鑄就了中國微電子事業(yè)的堅實基座。

從“兩彈一星”的功勛元件，到如今數(shù)字時代的芯片基石，吳德馨院士的科研足跡貫穿了中國半導(dǎo)體發(fā)展的每一個關(guān)鍵節(jié)點。她的離去，是中國科技界的重大損失，但她留下的技術(shù)遺產(chǎn)與科學(xué)家精神，將繼續(xù)激勵后來者砥礪前行。