前沿導讀
據中國半導體產業多位領軍人在《科技導報》發布的專題報告指出,我國已經在衛星、國家安全、軍事網絡等戰略體系下所應用的芯片做到了100%自主可控,為國家安全構建出一道堅實的城墻。下面要面臨的挑戰,則是在具有Fin FET晶體管結構的14nm工藝節點實現自主可控,緊接著便是依靠自主可控的14nm產業鏈,向7nm、5nm等先進節點發起自主可控的技術攻堅。
自主技術
芯片產業的體系構成分為最上游設計步驟的EDA工具,緊接著是制造設備、材料、工廠、制程技術、封測等硬件制造環節,最后則是將芯片搭載到終端載體上面,然后將其與操作系統進行匹配后投入市場進行銷售。
在整個環節當中,每一個步驟都需要專門的軟硬件工具進行制造。缺少了任意一個技術設備,整個產業鏈便會被切斷,無法正常交付產品。
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此前美國對中國芯片產業所實施的制裁限制,就是依靠中國企業在制造環節的薄弱點進行痛擊。
先禁止其他企業給相關品牌代工芯片,然后封鎖外來的制造設備,最后則是通過施加額外關稅、拉攏國際巨頭在美國本土發展等方法,讓中國芯片在國際市場上失去競爭力,進而將中美芯片技術的差距進一步拉大。
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這種在產業鏈上面的制裁,讓中國芯片產業出現了不同程度的技術斷層。雖然中國企業在先進芯片上出現了幾年的停滯,但是卻加速了自主技術的快速發展。
先來看最上游的EDA工具領域,我國早在1993年便開發出了自主知識產權的熊貓EDA工具,隨后從2002年起,華大九天、廣立微、概倫電子等國產EDA企業陸續成立,開始在EDA軟件領域進行針對性技術研發。
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不同類型產品所需求的EDA工具是不一樣的,不管是模擬電路、存儲電路、射頻、顯示面板等半導體器件,還是晶圓制造、芯片封裝等制造環節都需要不同的EDA工具參與軟件設計。
截止到2024年,華大九天已經成為了國內EDA領域的龍頭,以1.56億美元的企業銷售額位居全球EDA企業第六名的成績,已經成為了中芯國際、海思半導體、紫光展銳、京東方等本土企業的核心供應商。
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在下一步設計領域,中國企業與國際水平較為接近,但是受美國制裁條例的影響,雙方的整體營收規模差距很大。甚至英偉達一家創造的營收,要比后兩名加在一起還多兩倍左右。
不過海思半導體的技術水平有目共睹,無論是當年臺積電制造的最后一代麒麟9000,還是采用自研大核心架構、支持超線程的麒麟9000S,都能體現出海思的設計水平。并且海思還涉及傳感器、音頻、模擬芯片等其他技術業務。
另一家紫光展銳則是專注于中低端芯片的設計工作,雖然只涉足中低端芯片設計,但紫光展銳的產品線廣泛,旗下的芯片被大量用在智能手表、兒童手表、學習機等各類細分的產品領域。
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海思半導體與紫光展銳設計的芯片,可以算是中國大陸地區出貨量最多的兩大品牌。海思主打中高端設計,紫光展銳則是專注于中低端芯片設計。如果只說手機SOC芯片,那么海思的國內市場占有率在20%左右,紫光展銳則是10%左右。
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下一個環節便是中國被美國重點卡脖子的制造環節,無論是制造技術還是制造設備,中國本土技術均存在不同程度的短板,這也是此前產業發展幾十年一直存在的問題。美國的制裁,成為了讓中國企業有了危機意識,開始針對被卡脖子的地方重點攻關。
制造產業鏈
中國本土最大的兩家晶圓代工企業就是華虹集團和中芯國際,華虹集團專注于成熟制程的特色工藝,已經在65nm—22nm實現了自主可控。
而中芯國際則是成熟制程和先進制程雙路發展,多年前已經建立起Fin FET生產線,并且為華為代工了一批14nm的麒麟710A,正在提升N+1工藝的7nm產能。
據集邦咨詢(TrendForce)發布的報告指出,受本土市場的支撐,中芯國際已經拿下全球晶圓廠營收排名第三的好成績,營收規模較去年提升了16%。華虹集團也因本土市場的紅利在全球晶圓廠營收排名當中位列第六,營收規模較去年提升了25%。
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我國的芯片產能優勢明顯,而且也已經進入到了快速發展時期,下面就來到了最為核心的制造設備領域。
制造設備是美國卡中國脖子的核心手段,在設備上面實現技術本土化是當下各大企業的主要目標。
實力較為強勁的設備企業就是北方華創,北方華創已經形成了刻蝕+薄膜沉積+熱處理+濕法+離子注入的全品類設備布局。2025年3月,北方華創宣布推出旗下首款離子注入設備。6月份,北方華創宣布取得芯源微控股權,開始對光刻技術配套的涂膠顯影設備進行技術提升。
這種全品類布局正在讓北方華創成長為類似于美國應用材料、科磊一樣的大型裝備集團。
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中微半導體是刻蝕機領域的龍頭,占全球總刻蝕機出貨量17%的市場份額,旗下最先進的刻蝕機支持5nm節點的芯片刻蝕工藝,已經進入到了臺積電先進芯片的生產中。
拓荊科技制造的14nm氣相沉積設備也已進入商業化環節,在中芯國際的生產線中實現了對部分進口設備的國產化替代。
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在討論話題最熱烈的國產光刻機領域,上海微電子公司制造的28nm光刻機已經進入工藝測試環節。
工藝測試與量產商用是兩個概念,工藝測試的目的是提升設備的可靠性和穩定性,讓其保持在一個較為良好的制造水平,不能出現芯片良品率極低這種惡性情況。當測試機器在各方面達到合格水平之后,下一步才是將該設備進行量產,投入生產線商用。
28nm及以上的成熟工藝,我們已經實現了純國產化的自主可控,將外部風險降到了最低。14nm的Fin FET晶體管工藝,我們正在對其整體的產業鏈進行自主技術研發。
而7nm及以下更加先進的工藝,我們則是需要等14nm實現純國產化之后,再對先進工藝進行技術攻堅,穩步推進國產化技術的進度。
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