8年從0到10%！中國(guó)存儲(chǔ)芯片，撕開(kāi)美日韓壟斷鐵幕！

全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，曾是美日韓企業(yè)的“自留地”。

三星、SK海力士、美光、鎧俠四家巨頭，在NAND閃存領(lǐng)域占據(jù)超90%份額。

DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，三星、SK海力士、美光三家又吃下90%以上蛋糕。

三巨頭合計(jì)壟斷DRAM+NAND芯片85%以上市場(chǎng)，形成“市場(chǎng)行為封鎖”——定價(jià)權(quán)、上下游議價(jià)權(quán)、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)制定權(quán)全在巨頭手中，后來(lái)者想突圍，難如登天。

存儲(chǔ)芯片行業(yè)“三高”特性——高投入、高門(mén)檻、長(zhǎng)周期，更讓新玩家望而卻步。一臺(tái)光刻機(jī)動(dòng)輒上億美元，一條產(chǎn)線建設(shè)需數(shù)百億；從研發(fā)到量產(chǎn)，往往需要5-10年；市場(chǎng)波動(dòng)大，價(jià)格周期明顯，稍有不慎就會(huì)虧損。美日韓巨頭憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)，筑起“四座大山”，將其他企業(yè)擋在門(mén)外。

但中國(guó)兩大企業(yè)——長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)，卻在這“鐵桶陣”中撕開(kāi)缺口。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2017年成立，主攻DRAM內(nèi)存，8年時(shí)間實(shí)現(xiàn)技術(shù)“三級(jí)跳”：從LPDDR4到LPDDR5，再到LPDDR5X，直接追平三星、SK海力士等巨頭，市場(chǎng)份額沖到近10%，成為全球第四大DRAM廠商。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)同樣“猛”，2016年成立，不到10年時(shí)間在NAND閃存領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)“從0到1”突破：全球首家量產(chǎn)232層3D NAND閃存，技術(shù)全球頂尖；雖遭美方打壓，但技術(shù)未落后，市場(chǎng)份額也占到10%左右。

兩家企業(yè)“突圍”的密碼，在于“三板斧”：一是持續(xù)高強(qiáng)度研發(fā)投入，長(zhǎng)鑫每年研發(fā)投入占比非常高，長(zhǎng)江存儲(chǔ)更在3D NAND技術(shù)上申請(qǐng)超N多專(zhuān)利；二是“產(chǎn)學(xué)研”深度融合，與高校、科研院所共建實(shí)驗(yàn)室，培養(yǎng)本土技術(shù)人才；三是精準(zhǔn)市場(chǎng)定位，先切入消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等細(xì)分市場(chǎng)，再逐步拓展至高端領(lǐng)域。

當(dāng)前，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正經(jīng)歷“漲價(jià)潮”，長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)存借機(jī)擴(kuò)大產(chǎn)能，提升市場(chǎng)份額。長(zhǎng)鑫計(jì)劃未來(lái)3年投入千億擴(kuò)建產(chǎn)線，目標(biāo)是將DRAM份額提升至15-20%；長(zhǎng)江存儲(chǔ)也在加速232層以上技術(shù)研發(fā)，目標(biāo)是在NAND領(lǐng)域占據(jù)更多份額。

業(yè)內(nèi)專(zhuān)家指出，中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)的崛起，不僅打破了美韓壟斷，更改變了全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)格局。未來(lái)，隨著5G、AI、數(shù)據(jù)中心等需求激增，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將持續(xù)擴(kuò)容，長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)存有望在全球市場(chǎng)占據(jù)更大份額，成為讓美韓巨頭“頭疼”的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

10年時(shí)間，從0到10%，再到未來(lái)可能更高的份額，中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)用實(shí)力證明：在“鎖死”的賽道里，也能跑出“黑馬”。這，或許才是美日韓企業(yè)最沒(méi)想到的。