河南
快科技4月18日消息，據報道，三星電子已正式決定將高帶寬內存（HBM）的研發周期從此前約兩年大幅縮短至一年以內。
據悉，三星已制定并正在執行一項計劃，每年推出新一代HBM，以配合英偉達等主要客戶新款AI加速器的發布節奏。
HBM是AI加速器的核心組件。三星目前最新量產產品為HBM3E，下一代HBM4預計今年隨英偉達Vera Rubin及AMD Instinct MI400平臺一同推出。
今年3月，三星曾在英偉達GTC 2026上公開展示HBM4E實體樣品，可實現16Gbps傳輸速率及4.0TB/s帶寬。首批HBM4E樣品已鎖定2026年5月產出，將優先供應英偉達進行評估。
但AI加速器廠商已普遍轉向每年更新一代產品的發布周期，HBM供應商若無法同步跟進，將面臨技術滯后乃至客戶流失的風險。
更緊迫的是，市場研究機構Counterpoint數據顯示，2026年SK海力士預計占據全球HBM市場約54%的份額，三星僅約28%。
三星此次主動壓縮研發周期，本質上是以供應鏈節奏對齊客戶路線圖，將自身嵌入AI硬件生態的核心鏈條。
三星內存產品與技術執行副總裁SangJoon Hwang在GTC 2026上已透露，HBM5的基礎裸片將從4nm工藝跨代升級至2nm工藝。
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