河南
快科技4月17日消息，據報道，ASML在2026年第一季財報會議上披露了EUV光刻機分別在低數值孔徑（Low NA）與高數值孔徑（High NA）機種方面的最新路線圖。
會議上，ASML釋放了兩條讓臺積電三星大客戶安心的重磅信息。其一是Low NA EUV技術將繼續服役至2031年；其二是High NA EUV加速走向量產階段。
ASML CFO戴厚杰明確表示，2026年Low NA EUV出貨至少60臺，2027年至少80臺，管理層已將供應鏈準備至Low NA 90臺/年的產能能力。
到2030年，Low NA EUV設備每小時晶圓處理能力將從目前的220片提升至330片，產能增長50%。
客戶報告顯示，High NA技術可將EUV光刻所需掩模數量從3塊減少到1塊，工藝步驟從100步壓縮至10步。該技術可覆蓋未來3至4個制程節點，顯著降低芯片制造成本。
ASML計劃2027年推出NXE:5200C系統，主要面向2nm及以下制程節點。
三星電子已率先行動，計劃采購兩套High NA EUV設備用于2nm制程量產，分別于2025年底和2026年初交付。
臺積電方面，首臺High NA EUV光刻機已移送至全球研發中心，用于A14等未來先進工藝的開發。
此外，SK海力士已宣布訂購價值約80億美元的EUV設備，三星電子也下達了約40億至50億美元的訂單。
ASML同步上調2026年全年凈銷售額預期至360億至400億歐元，同比增長10%至22%。
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