硅光，兩項全球首創

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云計算與人工智能的普及催生海量數據流，推動數據中心內部及跨中心對超高速、低能耗光互聯鏈路的需求激增；這類鏈路的數據傳輸速率必須大幅超越當前 200 吉比特每秒（200Gb/s）的通用標準。將新材料異質集成至硅光平臺，可打造面向短距、短途互聯的下一代電光調制器與光電探測器。

鈮酸鋰（LiNbO?）是極具代表性的優質材料，憑借極高的電光系數，非常適配高速光通信系統。另一熱門材料為鉭酸鋰（LiTaO?），其優勢在于電光穩定性優異、損傷閾值高且具備紫外透光性，適用于高功率、溫敏場景，以及短波長工作的光通信設備。

但兩類材料均含鋰元素，難以兼容主流 CMOS 制造工藝；同時，將高速光電探測器等其他器件與這類材料集成，技術落地難度極大。

為攻克上述難題，業內正在探索多種集成方案。晶圓鍵合技術雖已在鈮酸鋰器件上實現驗證，但成本高昂、效率偏低 —— 鍵合后需剝離絕大部分基材，還要增設大量后續加工工序。如今，比利時微電子研究中心（imec）推出微轉印技術，可將鈮酸鋰、鉭酸鋰高效異質集成至硅光平臺，成為極具潛力的新方案。

全球首創：微轉印技術實現薄膜鈮酸鋰調制器硅光集成

在本屆歐洲光通信大會（ECOC）上，imec 與根特大學團隊展示一項技術成果：依托全兼容標準 CMOS 制程的新型高速集成電路，實現 O 波段 320 吉比特每秒（320Gb/s）無放大光鏈路，可在 2 公里標準單模光纖中穩定傳輸。

該成果為全球首創，整套驗證方案搭配 100 吉赫茲高帶寬鍺光電二極管，通過微轉印工藝將薄膜鈮酸鋰馬赫 - 曾德爾調制器（MZM）集成至 imec 硅光平臺，并與定制行波驅動器、跨阻放大器（TIA）共封裝。

圖 1：(a) 下一代硅光平臺架構簡化示意圖；(b) 硅光子集成電路集成薄膜鈮酸鋰后的實拍圖，及異質電光器件聚焦離子束截面掃描電鏡圖；(c) 鍺硅光電二極管透射電鏡圖，展示深刻硅槽內的鍺層生長結構；(d) 鍺光電二極管光電帶寬實測曲線。（圖源：imec）

此次突破讓 imec 率先實現薄膜鈮酸鋰器件與硅光平臺的無縫集成。研發團隊優化迭代全套硅光工藝流程，并協同開發光子集成電路（PIC）與電子集成電路（EIC），最大化挖掘性能潛力。該驗證方案，為單通道 400Gb/s 光互聯技術落地打通了可行路徑。

全球首次：薄膜鉭酸鋰調制器完成硅光異質集成

另一項開創性成果刊發于《自然?光子學》，業內首次實現鉭酸鋰調制器與硅光子集成電路的異質集成。

該技術沿用適配鈮酸鋰的微轉印工藝，可完全兼容整片晶圓堆疊架構，能與加熱器、濾波器、鍺光電探測器等器件無縫協同集成，且不會損耗原有器件性能。

論文第一作者瑪戈特?尼爾斯表示：“我們在鈮酸鋰集成技術基礎上驗證，微轉印工藝同樣適配鉭酸鋰，足以體現這項技術極強的通用性。這也讓我們堅信，未來出現新型光電材料時，都能高效完成硅光集成，為下一代光互聯技術筑牢根基。”

圖 2：主流高端硅光子集成電路平臺基礎器件通用架構示意圖。（圖源：imec）

助力沖刺 400Gb/s 光互聯技術里程碑

系列研究成果，彰顯 imec 持續突破高速光電路與電子電路設計邊界的研發目標。盡管該技術距離全面成熟、商用落地仍有大量優化工作，但探索新材料、依托前沿技術迭代下一代驗證方案，是沖刺 400Gb/s 光互聯技術里程碑的關鍵一步。

（來源：imec）

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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