12英寸碳化硅元年，全球競速開啟

碳化硅是一種典型的第三代半導體材料，屬于寬禁帶半導體。憑借耐高壓、耐高頻、高導熱性、高溫穩定性、高折射率等特點，在新能源汽車、光伏儲能和5G通信等領域展現出廣闊的應用前景。

6英寸碳化硅仍占據全球商用主流、8英寸產品加速產業化推進的當下，12英寸碳化硅的集中突破正宣告第三代半導體產業邁入關鍵轉折點。從國內露笑科技、天岳先進、晶盛機電到美國Wolfspeed，全球頭部企業相繼實現12英寸碳化硅單晶、襯底的重大突破，一場全球范圍內的12英寸碳化硅產業競速正式開啟。

全球企業加速布局技術突破密集落地

• 天岳先進

來源：天岳先進

2024年11月，天岳先進在2024德國慕尼黑半導體展覽會上發布了業界首款300mm（12英寸）碳化硅襯底產品。天岳先進表示，300mm碳化硅襯底材料，能夠進一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產量。在同等生產條件下，顯著提升產量，降低單位成本，進一步提升經濟效益，為碳化硅材料的更大規模應用提供可能；

2025年3月，天岳先進發布了12英寸高純半絕緣、p型碳化硅襯底；

2025年10月，天岳先進業績發布會上介紹，公司已經發布了全系列12英寸碳化硅產品矩陣，包括12英寸導電型碳化硅襯底、12英寸半絕緣型碳化硅襯底以及12英寸P型碳化硅襯底，目前已經與下游客戶積極對接中，并已取得相關全球頭部客戶的多個12英寸SiC產品訂單。

• 晶盛機電

來源：晶盛機電

2025年5月，晶盛機電子公司浙江晶瑞SuperSiC實現12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶生長技術突破，首顆12英寸SiC晶體成功出爐——晶體直徑達到309mm，質量完好；

2025年9月，公司首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通線，浙江晶瑞SuperSiC實現了從晶體生長、加工到檢測環節的全線設備自主研發；

2026年1月份，依托自主搭建的12英寸中試線，浙江晶瑞SuperSiC成功實現12英寸碳化硅襯底厚度均勻性（TTV）≤1μm的關鍵技術突破。

• 晶越半導體

2025年7月，晶越半導體透露，該公司成功研制出高品質12英寸SiC晶錠，這一技術突破標志其正式進入12英寸SiC襯底梯隊。面對大尺寸晶體生長過程中熱場分布不均、籽晶對位困難、厚度控制精度不足以及晶體缺陷風險增大的挑戰，公司系統性優化了熱場結構設計、籽晶粘接工藝參數、厚度均勻性控制方法，并在缺陷抑制方面取得顯著成效。通過這些核心環節的協同優化，晶越成功實現了12英寸SiC晶體的高質量生長。

• 天成半導體

來源：天成半導體

2025年第二季度，山西天成半導體材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅單晶材料；

2025年10月，天成半導體發布公告稱，公司依托自主研發的12英寸碳化硅長晶設備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35mm厚；

至此，天成半導體現已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長雙成熟工藝，且自研的長晶設備可產出直徑達到350mm的單晶材料。

• 科友半導體

來源：科友半導體

2025年9月，科友半導體發布公告稱，公司依托自主研發的12英寸碳化硅長晶爐及熱場技術，成功制備出12英寸碳化硅晶錠；

10月中旬，科友半導體成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶；

2026年3月，科友半導體12英寸導電型與半絕緣碳化硅晶片加工雙雙取得重大突破，標志著公司已打通從晶體生長到晶片加工的大尺寸全鏈條核心技術，為12英寸碳化硅襯底的規模化量產奠定了堅實工藝基礎。

• 合盛硅業

2025年5月，合盛硅業下屬單位寧波合盛新材料有限公司宣布成功研發12英寸（300mm）導電型碳化硅（SiC）單晶晶體，并已啟動切、磨、拋等加工技術的研究。該突破依托自主設計的SiC單晶生長爐及多年技術攻關，通過創新坩堝設計、使用多孔與涂層石墨技術，實現了超大晶體所需的高通量生長?。

• 南砂晶圓

2025年5月8日，南砂晶圓在重慶舉行的行業大會上首次公開展示了12英寸導電型碳化硅襯底實物，成功攻克大尺寸碳化硅襯底制備難題。

• 環球晶圓

2025年11月4日，環球晶圓宣布，公司在核心技術研發上取得重大突破：其方形碳化硅（SiC）晶圓以及具有里程碑意義的12英寸碳化硅（SiC）晶圓的原型開發已成功完成，并已正式進入客戶送樣與驗證階段。

• 爍科晶體

2024年12月，成功研制出12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同期研制成功12英寸N型碳化硅單晶襯底。

• Wolfspeed

來源：Wolfspeed

2026年1月13日，Wolfspeed,Inc.宣布制造出單晶300mm（12英寸）碳化硅晶圓。該公司的300毫米平臺將統一用于電力電子的高量碳化硅制造與高純度半絕緣基板的先進能力，應用于光學和射頻系統。這一融合將支持一種跨光學、光子、熱能和功率領域的新型晶圓尺度集成。

12英寸碳化硅為何成角逐焦點？

為何12英寸碳化硅能成為全球半導體企業的布局焦點？究其根本，是下游產業需求爆發與產業降本增效訴求的雙重驅動，同時也是突破國際技術壟斷、掌握產業核心話語權的關鍵所在。

碳化硅是新能源汽車、5G通信、軌道交通等國家戰略新興產業的關鍵基礎材料。近年來，隨著新能源汽車、光伏儲能等清潔能源、5G通訊及高壓智能電網等產業的快速發展，滿足高功率、高電壓、高頻率等工作條件的碳化硅基器件的需求也突破式增長。同時，人工智能、AR眼鏡等新興領域的崛起，進一步凸顯了碳化硅高頻、高功率、耐高溫的性能優勢，為碳化硅材料開辟了新的應用賽道，市場需求持續擴容。

碳化硅襯底作為第三代半導體的基石，其尺寸與品質直接決定了產業鏈的性能上限與成本空間。尺寸越大，單片晶圓可產出的芯片數量越多，降本增效效果越顯著。12英寸碳化硅襯底材料，能夠進一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產量。在同等生產條件下，顯著提升產量，降低單位成本，進一步提升經濟效益，為碳化硅材料的更大規模應用提供可能。

在新能源汽車領域，12英寸碳化硅技術能進一步提升碳化硅器件在終端市場的競爭力，契合下游“降本增效”的核心訴求。同時，AR眼鏡（光波導）和AI芯片先進封裝（中介層）等領域對12英寸碳化硅技術的需求也日益凸顯，12英寸碳化硅襯底面積約為8英寸襯底的2.25倍，這意味著單片12英寸襯底所能產出的AR眼鏡用芯片數量遠高于8英寸片，在大規模生產中，能顯著減少長晶、加工、拋光等環節的單位成本，是降低AR眼鏡核心元器件成本的關鍵路徑。

長期以來，高品質、大尺寸碳化硅襯底的制備技術被少數國際巨頭壟斷，技術壁壘極高。從晶體生長的溫度精準控制，到切片工藝的升級迭代，再到晶體缺陷的有效控制，每一個環節都是制約國內產業發展的“卡脖子”難題。12英寸碳化硅技術的研發與突破，不僅是企業核心競爭力的體現，更是國內第三代半導體產業打破國際技術壟斷、掌握產業發展主動權的重要舉措。

從6英寸到8英寸再到12英寸，碳化硅大尺寸化是產業發展的必然趨勢。12英寸碳化硅的研發，可大幅提升芯片產出量、顯著降低單位成本，將為新能源、通信、AR等戰略產業注入更強發展動力。

來源：中國戰略新興產業、界面新聞、大眾日報、中國經營報、證券時報、21世紀經濟報道、賢集網、各公司官網、公告等