國產MRAM制造迎資本風口，致真存儲賦能無人機！

低空經濟與新型存儲技術的融合迎來關鍵產業化節點。2026年3月，國內首套搭載磁性隨機存儲器（Magnetic Random Access Memory，MRAM）芯片的“天目山十三號”量產高載荷比升力翼多旋翼無人機在杭州圓滿完成試飛。這款專為民生與應急場景打造的工業級無人機，其核心飛控系統搭載的是致真存儲（北京）科技有限公司（以下簡稱致真存儲）的基于自旋軌道矩的MRAM（Spin Orbit Torque-MRAM，SOT-MRAM）非易失性存儲芯片（型號SO25H256KSAC）。此次試飛的成功不僅實現了國產SOT-MRAM芯片與工業級無人機智能控制技術的深度協同，更標志著這一新型存儲技術在低空經濟、工業控制兩大核心領域的成功商用落地。在臺積電等國際巨頭持續加碼MRAM研發的行業背景下，致真存儲作為國內唯一可量產SOT-MRAM的企業，其技術落地印證了國產MRAM產業化正日趨成熟，發展潛力十足，也讓這一兼具技術壁壘與稀缺性的賽道成為資本關注的焦點。

“天目山十三號”無人機

作為“后摩爾時代”最具潛力的通用型非易失存儲方案之一，MRAM的技術突破與場景落地，正推動半導體存儲產業的新一輪變革，而致真存儲憑借在技術研發與產線布局的雙重突破，也成為國產MRAM產業化的重要標桿。

MRAM是什么？“后摩爾時代”新型存儲方案之一

隨著人工智能、自動駕駛、物聯網等新興應用的爆發，傳統由SRAM、DRAM、閃存構成的存儲層級體系，正面臨可擴展性受限、功耗過高、讀寫速度與非易失性難以兼顧的行業難題。為突破這一瓶頸，ReRAM、PCM、FeRAM、MRAM等新型存儲器紛紛進入研發與驗證階段，其中MRAM因兼具高速、低功耗以及趨近于無限次擦寫等高可靠核心優勢，被認為是最具潛力的通用型非易失存儲方案之一。

MRAM作為一種新型非易失性存儲技術，基于電子自旋力矩寫入信息，通過磁隧道結（MTJ）的磁電阻變化讀出數據，從原理上突破了傳統電荷存儲技術的局限，這也讓其天生具備相較傳統存儲更突出的性能優勢。

從技術發展來看，MRAM已發展至第三代SOT-MRAM，相較于第一代Toggle-MRAM和第二代STT-MRAM，其利用具有強自旋軌道耦合作用的材料產生自旋軌道力矩，實現無外加磁場下磁隧道結內納米磁體的磁化翻轉，大大簡化了Toggle-MRAM的器件復雜度，同時通過三端結構設計將讀寫電流路徑完全分離，有效解決了STT-MRAM讀寫干擾、耐久性不足的痛點，實現了納秒級寫入、萬億次耐久，同時兼顧低功耗與高可靠性，成為工業級、車規級等高端存儲場景的核心選擇。

從性能來看，MRAM集多重優勢于一體：利用電子的磁學屬性進行信息存儲，實現了掉電數據不丟失的非易失特性；高速讀寫滿足實時數據記錄需求；高耐擦寫適配高頻次不間斷數據檢測的存儲場景；寬溫域、抗輻射、低功耗則完美適配工業、航空航天、戶外作業等復雜環境；是兼具“速度、可靠、適配性”的新一代存儲解決方案。

MRAM產業化有多難？多維度壁壘下的硬核攻堅

MRAM并非傳統存儲芯片的技術升級，而是融合了自旋電子學、磁學、材料學、微電子學等多學科的高端技術體系，尤其是SOT-MRAM，其研發與產業化需要攻克從材料、器件、工藝到集成的全鏈條技術難題，背后需要大量的資源匯聚、長期的技術積累，同時國內產業現狀帶來的代工體系空白，進一步抬高了行業門檻。這也是為何MRAM雖被視為下一代存儲方向之一，卻鮮有企業實現商業化落地的核心原因。其研發難點主要體現在四大維度：

1.基礎材料與微納加工工藝：納米級的精度考驗

MRAM的核心器件磁隧道結其性能直接決定了芯片的讀寫速度、功耗與可靠性，而磁隧道結的制備是第一道技術難關。一方面，磁隧道結的超薄磁性多層膜，該工藝是當前半導體微納工藝中涉及材料最多、結構最復雜、成膜質量與厚度精度要求最高的薄膜技術，國內在高端高純靶材、磁控濺射設備的研發與產業化上積累相對薄弱；另一方面，磁隧道結的尺寸需達到亞百納米級精度，對微納加工工藝提出了極高要求，從薄膜沉積、光刻到刻蝕，每一個環節都需要精準控制，稍有偏差就會導致芯片性能大幅下降，這對于磁后道加工工藝提出嚴峻挑戰，也構建了MRAM必須建設專用產線的極高資源壁壘。

2.電路設計：兼顧多需求的系統級優化

MRAM的電路設計并非傳統存儲芯片的簡單復刻，而是需要兼顧高速讀寫、低功耗、抗干擾、接口適配等多重需求。工業級MRAM芯片需要設計專用的讀寫電路，解決自旋信號的檢測、放大與傳輸問題，同時規避讀寫過程中的信號串擾、磁干擾；還要根據下游應用場景，設計適配工業標準的接口（如本次“天目山十三號”搭載的SPI接口），完成與飛控、工控系統的協議適配；此外，還需通過電路設計實現芯片的低功耗控制，適配無人機、物聯網終端等便攜設備的供電需求。這一系列設計需要大量的電路仿真、流片驗證與場景測試，對企業的設計能力與工程化經驗提出極高要求。

3.多學科融合：跨領域的技術團隊與資源投入

MRAM的研發并非單一領域的技術攻關，而是需要科學研究、芯片設計、晶圓制造、應用開發等多領域的專業人才協同合作，組建跨學科的技術團隊。同時，從材料優化、芯片設計到工藝制造，每一個環節都需要大量的資金投入，研發周期長、投入回報慢，對企業的資金實力與長期研發決心是巨大的考驗。

4.制造端瓶頸：國內無代工產線，需建設專用產線

這是國內MRAM產業化面臨的最核心的現實挑戰。MRAM的制造工藝并非傳統的 CMOS工藝，而是硅工藝與磁工藝的深度融合，需要在晶圓制造過程中融入磁性材料沉積、磁隧道結構備、自旋軌道耦合材料制備等專屬工藝。而國內傳統晶圓代工廠的工藝布局均圍繞傳統邏輯、傳統存儲技術展開，無相關的磁工藝產線與技術儲備，導致難以實現MRAM芯片的代工能力。

這意味著，國內企業要實現MRAM的產業化，第一步需要邁過的臺階就是建設專用產線，完成從芯片設計、工藝開發到晶圓制造、測試及應用的全鏈條布局。而專用產線不僅需要數十億元級別的資金投入，還需要企業具備工藝整合、產線管理與良率提升的全流程能力，這一資金與技術的雙重壁壘直接將多數企業擋在MRAM產業化的門外。

無人機存儲的新舊更迭：SOT-MRAM憑什么顛覆傳統方案？

工業級無人機作為低空經濟的核心載體，其飛控系統的實時數據記錄與故障追溯能力，是保障飛行安全的關鍵。此前，工業級無人機普遍采用EEPROM或NOR Flash存儲方案，但二者的技術短板始終制約著無人機的安全運行與故障分析，而SOT-MRAM的出現，實現了無人機存儲方案的革命性升級，二者的差異體現在全維度的性能與應用體驗上。

傳統存儲方案的痛點極為顯著：EEPROM寫入速度以毫秒計，NOR Flash需按塊擦寫，受限于擦寫延時，僅能記錄故障發生前1~2秒的運行數據，關鍵的姿態、轉速、鏈路等核心參數極易丟失，給事故溯源帶來極大挑戰；同時，傳統的EEPROM、NOR Flash等存儲芯片其擦寫壽命僅約104~106次，難以適配無人機高頻次的飛行數據記錄；此外，在高低溫、強振動等戶外復雜環境下，傳統存儲芯片的數據留存能力弱，甚至會出現數據損壞。

而SOT-MRAM芯片則能從根本上解決這些痛點，為無人機打造全場景的安全屏障：納秒級寫入速度，無需擦除預處理即可完成數據寫入，能實時捕獲故障前微秒量級的核心參數，完整還原事故發生前的“黃金數據片段”，讓故障分析從 “推測還原”升級為“精準復刻”；超高的耐擦寫能力遠超EEPROM的100萬次極限，完美適配無人機長期、高頻次的飛行數據記錄需求；-40℃~125℃的寬溫域適應能力與高可靠非易失性，即便在無人機墜毀、強輻射等極端場景下，仍能保障數據完整留存；更重要的是，芯片可在每一個控制周期實時同步飛控系統關鍵參數，無需等待擦寫延時，有效提升了無人機的導航定位精度和動態響應速度，穩定支持垂直起降與固定翼巡航的多模式無縫切換，實現作業能力與安全性能的雙重提升。

致真存儲SOT-MRAM芯片

正如“天目山十三號”無人機的總師航御智控技術負責人所言，SOT-MRAM芯片如同高速攝像機一般，能精準鎖定無人機故障瞬間的關鍵運行狀態，高速的精準數據能直接定位故障誘因，大幅提升事故排查的效率與準確性。

不止于無人機：SOT-MRAM正打開百億級工業應用空間

SOT-MRAM的技術特性決定了其并非單一場景的存儲解決方案，而是能廣泛適配低空經濟、工業控制、汽車電子、人工智能、航空航天、物聯網等多個高價值領域。隨著技術的落地與產業化，SOT-MRAM正逐步打開百億級的工業應用市場，成為新一代存儲技術的核心增長點。

在低空經濟領域，除工業級貨運無人機外，SOT-MRAM還能適配巡檢無人機、應急救援無人機、通航飛行器等各類載體，解決實時數據記錄、故障追溯、極端環境適配的核心需求，為低空經濟的規模化發展提供存儲技術支撐。

在工業控制領域，其高速、高可靠、耐極端環境的特性，可作為工業機器人、智能巡檢設備、特種裝備的核心存儲底座，實現生產過程的實時數據記錄與設備狀態監控，推動智能制造升級。

在汽車電子領域，尤其是自動駕駛方向，SOT-MRAM能滿足車輛行駛、感知系統的高速數據記錄需求，同時適配-40℃~125℃的車規寬溫域，成為車規級存儲的核心選擇。

在AI與邊緣計算領域，其高速、低功耗的特性可作為AI加速器的片上緩存，顯著降低高頻數據訪問帶來的能耗，同時支持邊緣設備的快速啟停而不丟失數據，完美適配物聯網終端的需求。

在航空航天與國防領域，其抗輻射、耐極端環境的特性，可解決衛星、航天器、特種裝備的高端存儲需求，保障復雜環境下的數據安全。

可以說，SOT-MRAM的應用場景覆蓋了新一代信息技術與高端制造的核心領域，其市場需求將隨著各產業的升級持續攀升。

商業航天、空間數據中心、太空算力組網等新興場景，催生MRAM增量市場

近年來，商業航天、太空數據中心、太空算力等新興場景迎來大規模爆發，數據洪流的“天地循環”需求催生了對高可靠磁存儲芯片的指數級增長，為MRAM行業打開了巨大的增量市場。

商業航天的規模化發展是核心驅動力。火箭回收技術成熟和衛星量產化降低了太空部署成本，衛星星座、商業遙感、太空旅游等應用快速落地，衛星數量激增帶來海量數據存儲需求。衛星在軌期間需實時采集、處理和緩存數據，而經過地面站的時間有限，需高可靠，尤其是抗輻照的存儲芯片作為數據緩存池，確保數據準確下行。MRAM成為了不二之選，其天然的抗輻射特性完美匹配衛星的嚴苛工作環境，成為星載存儲的首選。

太空數據中心和太空算力的興起進一步放大需求。隨著太空探索和太空經濟的發展，“存儲即服務”的太空數據中心概念逐步落地，需在近地軌道部署大容量、高可靠存儲陣列，作為數據中繼和緩存節點，為遙感數據、深空探測數據提供安全存儲服務。同時，在軌智能處理需求推動“星上大腦”建設，AI推理芯片需搭配高速高可靠存儲芯片實現實時數據處理，減少無效數據下行，這對存儲芯片的性能和可靠性提出更高要求。SOT-MRAM在受輻照干擾的情況下依然可以穩定高速的進行數據存儲及讀取，或將成為構建太空數據中心的基石。

天地一體化數據存儲備份需求也在快速增長。將關鍵數據加密，并利用MRAM穩定存儲于太空軌道航天器，可實現物理隔離的絕對安全，滿足金融、基因、文明備份等領域的極致安全需求。隨著發射成本下降，這一應用場景有望從概念走向現實。

致真存儲：新一代MRAM“設計+制造”一體化標桿，國內唯一

“天目山十三號”無人機的成功試飛，背后是致真存儲在MRAM領域多年的技術攻堅與產業化布局。目前致真存儲已實現SOT-MRAM的技術突破與商用落地，更憑借自建產線的布局，成為國產MRAM領域稀缺的“設計+制造”一體化標的，在存儲芯片國產化替代的浪潮中，引發了資本的高度關注。

從技術研發來看，致真存儲聚焦第三代SOT-MRAM技術，成功突破了強自旋軌道耦合材料制備、高熱穩定性磁性膜堆研究、磁隧道結高精度刻蝕、CMOS工藝集成等核心技術瓶頸，其推出的SO25H256KSAC芯片，實現了納秒級寫入、高速數據記錄、寬溫域適應等工業級核心性能，技術水平處于國際領先地位。此次在無人機場景的成功落地，更是完成了從實驗室技術到實際應用的關鍵驗證。

從產線布局來看，面對國內MRAM代工體系空白的現狀，致真存儲果斷啟動產線建設，其在青島投資數十億元落地的產線是國內首條具備量產能力的新一代磁存儲后道專用微納加工線。該產線實現了CMOS工藝與磁學工藝的深度融合，使得MRAM芯片從設計到制造的全鏈條自主可控。項目達產后將實現月產400萬顆高端芯片，年產值可達數十億元，為國產MRAM的規模化、產業化奠定了制造基礎，也讓致真存儲成為國內少數具備MRAM全流程制造能力的企業。

致真存儲磁存儲制造項目落地青島——

青島海存微電子有限公司

從資本價值來看，當前全球半導體存儲芯片市場迎來新一輪爆發，國內存儲芯片的國產化替代需求愈發迫切，政策層面也明確支持MRAM等新型存儲技術的研發與產業化，為賽道發展提供了強勁支撐。但從國內存儲產業現狀來看，“設計公司多、制造公司少”是顯著特征：國內多數存儲企業聚焦于芯片設計環節，依賴海外或國內傳統晶圓廠代工，而在MRAM這類高端新型存儲領域，由于代工產線的缺失，具備自主制造能力的企業更是鳳毛麟角。

致真存儲的核心價值，正體現在其“技術突破+場景落地+制造自主”的全鏈條布局：不僅實現了SOT-MRAM的技術突破與低空經濟、工業控制領域的商用落地，更通過自有產線解決了國產MRAM的制造瓶頸，成為國產MRAM領域稀缺的“設計+制造”垂直整合制造企業。此次“天目山十三號”無人機的成功試飛，進一步驗證了其MRAM技術的商用價值與產業化能力，也讓資本看到了國產新型存儲制造標的的投資價值。

在存儲芯片國產化替代與新一代存儲技術迭代的雙重浪潮下，MRAM作為未來高端存儲的核心方向，市場前景廣闊。而致真存儲憑借技術、產線、場景的多重優勢，成為國產MRAM產業化的標桿企業，其成功不僅為國產存儲芯片在高端工業領域的替代提供了核心解決方案，也為資本布局新型存儲賽道提供了優質項目。隨著低空經濟、智能制造等下游產業的快速發展，致真存儲有望加速MRAM技術的規模化產業化，推動國產新型存儲產業邁入新的發展階段。

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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