營收幾乎翻倍，美光大賺！

在截至2月末的2026財年第二財季，公司營收幾乎增長了兩倍。

美東時間周三盤后，存儲芯片大廠美光科技公布最新季度財報。財報顯示，在截至2月末的2026財年第二財季，公司營收幾乎增長了兩倍，超出分析師預期，其給出的下一季度業績指引也遠超市場預期。

美光在報告期內實現 238.6 億美元營收，相較FY2025Q2 同比增長 196.3%，環比增幅也達到了 74.9%。GAAP 和 Non-GAAP 凈利潤分別為 137.9 億美元和 140.2 億美元。

在AI熱潮下，市場對于存儲芯片需求暴增，美光科技業績因此水漲船高。美光首席執行官桑杰·梅赫羅塔（Sanjay Mehrotra）在公司財報聲明中寫道：“我們業績和展望的提升，來源于人工智能驅動的內存需求增加、結構性供應限制以及美光在各個方面出色的執行。”

對于本財季，該公司預計營收約為335億美元，較一年前的93億美元飆升，增長幅度超過200%，也遠超分析師預期的243億美元；預計調整后的每股盈利約為19.15美元，遠超分析師預期的12.05美元。

梅赫羅塔還在財報電話會議上表示，英偉達的Vera Rubin顯卡的HBM4量產工作在本財政年度第一季度就已經開始，下一代HBM4e產品將于2027年開始量產。英偉達曾表示，下一代Feynman GPU將使用定制的HBM材料。梅赫羅塔補充說，2027財年公司的資本支出將“顯著增加”，與建筑相關的成本將增加超過100億美元。

美光在周一表示，計劃在其最近從中國臺灣晶圓代工廠領軍者之一力積電所收購的銅鑼旗艦晶圓廠址之一建設第二座大型芯片制造設施。從英偉達首席執行官黃仁勛近期向全球存儲芯片廠商們高呼HBM產能擴多少英偉達就買多少，再到AMD首席執行官蘇姿豐計劃結盟三星電子來大規模鎖定HBM供給，可謂全面凸顯出包括HBM、DRAM和NAND在內的存儲芯片產品需求呈現指數級激增，這也是推動美光、SK海力士以及三星電子這三大存儲芯片原廠巨頭加速擴產的驅動力。

美光在一份最新聲明中表示，這座新芯片制造設施將幫助其顯著擴大最先進的數據中心級別DRAM系列產品的供應規模，其中主要包括高帶寬存儲(即HBM存儲系統)，以支持持續激增的人工智能算力需求。美光還表示，已正式完成對力積電銅鑼P5晶圓廠大型廠址的收購，并且新的第二座設施規模將與其位于苗栗的現有晶圓廠規模基本相近。

新建設計劃預計將于美光2026財年年底之前啟動。從美光最新的增產雄心壯志來看，該存儲芯片巨頭計劃趁AI驅動的存儲格局供需仍顯著偏緊時，為HBM以及服務器級別DRAM系列產品需求升溫提前備產，盡快把新增產能變成大規模出貨與ASP/實際利潤。

美光加速擴產存儲芯片之際，正值“存儲超級周期”席卷全球，人工智能數據中心對于HBM、服務器級別DDR5存儲以及企業級高性能SSD/HDD的無比強勁需求堪稱“無止境”。在野村以及花旗、摩根士丹利等華爾街金融機構們的策略師團隊看來，這波存儲芯片超級需求周期有望持續至2028年初期。

近日，SK海力士CEO崔泰元甚至警告稱，全球存儲芯片短缺可能持續數年，結構性供應限制很可能延續到下一個十年。他在圣何塞舉行的英偉達GTC 2026大會間隙表示，晶圓產能有限仍然是半導體行業的關鍵瓶頸。

Chey表示：“短缺源于晶圓產能不足，而獲得額外的晶圓供應至少需要四到五年時間。我們預計到2030年，整個行業的供應缺口將持續超過20%。”他補充說，SK海力士正在實施調整生產計劃和拓展供應商合作關系等舉措來穩定價格。首席執行官郭魯正預計將就這些應對內存芯片短缺引發的價格波動的新措施提供更多細節。

盡管面臨越來越大的壓力，需要將生產規模擴大到海外，但崔強調，集團將優先發展國內生產，以更好地應對持續的內存芯片短缺問題。他表示：“無論在韓國以外的地方建廠，所需時間都一樣。韓國已經擁有完善的基礎設施，可以更快地做出反應。”他還強調了在國外建設制造工廠所面臨的挑戰，包括需要可靠的電力和水供應，以及獲得熟練的工程人才。

關于高帶寬內存市場的競爭，Chey指出，人工智能驅動的需求增長正在重塑供應格局。“人工智能需要圖形處理器（GPU），而GPU需要HBM。我們將竭盡全力，”他說道，同時他也警告說，過度關注HBM可能會加劇智能手機和個人電腦中使用的傳統DRAM內存芯片的短缺。

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