據投融灣獲悉,無錫利普思半導體有限公司(下文簡稱:利普思)在近日剛剛完成了近億元的PreB+輪融資,揚州國金和揚州龍投等兩支來自揚州當地的基金聯合投資。本輪融資資金主要用于揚州專業化車規級SiC(碳化硅)模塊封裝測試基地的建設和市場推廣。
2019年,利普思創始人兼CEO丁烜明在無錫組建團隊成立了利普思,這是一家主要研發、生產第三代半導體SiC(碳化硅)模塊、IGBT模塊的高新技術企業。
公司總部位于無錫,在無錫建有先進的FA實驗室、可靠性實驗室以及應用測試實驗室等,覆蓋了從仿真、驗證和測試等全流程。另外公司還在日本設立了海外研發中心,成員全部來自三菱、東芝、日立、三洋等日本知名企業,覆蓋了晶圓工藝、封裝設計和可靠性驗證等全鏈條。與此同時,公司還在歐洲設立了銷售服務中心,提升當地客戶的用戶體驗。公司目前已經初步形成全球化的戰略布局,產品出口到了全球20多個國家和地區。2025年,公司海外銷售收入超50%,海外市場正在成為公司銷售增長的主要推動力。
公司始終堅持創新為本的戰略思想,公司在封裝技術和可靠性封裝材料方面申請專利超50項,其中有20多項都是發明專利。其中,Arc Bonding芯片表面連接專利技術采用了自研超聲波焊接和芯片表面連接工藝,能夠實現6-10顆芯片的并聯均流,單個模塊可集成20顆SiC芯片,而特斯拉同類模塊只能集成2顆。它的主要優勢是將功率密度提升了30%以上,模塊體積縮小了、開關損耗也減少了、功率循環壽命大幅提升。該技術已經獲得歐美客戶訂單認可。
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在國產高端SiC方面,公司推出了1700V SiC模塊、大電流ED3系列,這些都是國內首創,也填補了國產高端領域的市場空白。
在產品布局上,公司選擇SiC和IGBT系列的雙輪驅動戰略,產品可廣泛應用于高壓電網、新能源車主驅、儲能、超充、新能源重卡和工業電源等諸多場景,僅僅無錫基地目前的年產能為70萬只,早在2022年已投產。
之所以本輪融資由揚州當地基金聯合投資,是因為公司在揚州的生產基地進入到關鍵時期。據了解,揚州基地總投資為10億元,主要在此增加多條車規級SiC模塊自動化封裝測試產線,規劃總產能為300萬只。一期項目預計在2026年竣工,明年3月份投入生產,年產能有望達到200萬只,比無錫基地產能增長了近3倍。
功率半導體是電能控制轉換過程中核心器件,SiC模塊和IGBT模塊都是市場上比較常見的主流功率模塊,不過相比較之下,SiC模塊具有高性能、高效率、耐高溫、小體積等諸多優點,唯一的缺點就是價格偏高。這也意味著企業可以獲得更高的產品溢價,不必陷入到低價的市場中內卷。
據丁烜明表示,公司當前的SiC模塊已經在電網設備龍頭公司、變壓器龍頭公司和新能源重卡公司實現穩定量產,2026年,公司將進一步鞏固相關成果。
其實SiC模塊的應用領域不僅僅局限于電網、新能源車和儲能方面,全球各地正在加速建設的AI數據中心也需要用到SiC模塊,這也是SiC模塊市場增長不可忽視的力量。利普思已經做好了準備!
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