無錫碳化硅模塊龍頭獲近億元融資，劍指全球AI算力中心擴建市場！

據投融灣獲悉，無錫利普思半導體有限公司（下文簡稱：利普思）在近日剛剛完成了近億元的PreB+輪融資，揚州國金和揚州龍投等兩支來自揚州當地的基金聯合投資。本輪融資資金主要用于揚州專業化車規級SiC（碳化硅）模塊封裝測試基地的建設和市場推廣。

2019年，利普思創始人兼CEO丁烜明在無錫組建團隊成立了利普思，這是一家主要研發、生產第三代半導體SiC（碳化硅）模塊、IGBT模塊的高新技術企業。

公司總部位于無錫，在無錫建有先進的FA實驗室、可靠性實驗室以及應用測試實驗室等，覆蓋了從仿真、驗證和測試等全流程。另外公司還在日本設立了海外研發中心，成員全部來自三菱、東芝、日立、三洋等日本知名企業，覆蓋了晶圓工藝、封裝設計和可靠性驗證等全鏈條。與此同時，公司還在歐洲設立了銷售服務中心，提升當地客戶的用戶體驗。公司目前已經初步形成全球化的戰略布局，產品出口到了全球20多個國家和地區。2025年，公司海外銷售收入超50%，海外市場正在成為公司銷售增長的主要推動力。

公司始終堅持創新為本的戰略思想，公司在封裝技術和可靠性封裝材料方面申請專利超50項，其中有20多項都是發明專利。其中，Arc Bonding芯片表面連接專利技術采用了自研超聲波焊接和芯片表面連接工藝，能夠實現6-10顆芯片的并聯均流，單個模塊可集成20顆SiC芯片，而特斯拉同類模塊只能集成2顆。它的主要優勢是將功率密度提升了30%以上，模塊體積縮小了、開關損耗也減少了、功率循環壽命大幅提升。該技術已經獲得歐美客戶訂單認可。

在國產高端SiC方面，公司推出了1700V SiC模塊、大電流ED3系列，這些都是國內首創，也填補了國產高端領域的市場空白。

在產品布局上，公司選擇SiC和IGBT系列的雙輪驅動戰略，產品可廣泛應用于高壓電網、新能源車主驅、儲能、超充、新能源重卡和工業電源等諸多場景，僅僅無錫基地目前的年產能為70萬只，早在2022年已投產。

之所以本輪融資由揚州當地基金聯合投資，是因為公司在揚州的生產基地進入到關鍵時期。據了解，揚州基地總投資為10億元，主要在此增加多條車規級SiC模塊自動化封裝測試產線，規劃總產能為300萬只。一期項目預計在2026年竣工，明年3月份投入生產，年產能有望達到200萬只，比無錫基地產能增長了近3倍。

功率半導體是電能控制轉換過程中核心器件，SiC模塊和IGBT模塊都是市場上比較常見的主流功率模塊，不過相比較之下，SiC模塊具有高性能、高效率、耐高溫、小體積等諸多優點，唯一的缺點就是價格偏高。這也意味著企業可以獲得更高的產品溢價，不必陷入到低價的市場中內卷。

據丁烜明表示，公司當前的SiC模塊已經在電網設備龍頭公司、變壓器龍頭公司和新能源重卡公司實現穩定量產，2026年，公司將進一步鞏固相關成果。

其實SiC模塊的應用領域不僅僅局限于電網、新能源車和儲能方面，全球各地正在加速建設的AI數據中心也需要用到SiC模塊，這也是SiC模塊市場增長不可忽視的力量。利普思已經做好了準備！