【簡訊】三星Galaxy S26系列定檔2月26日；AMD將從AGESA過渡到openSIL…

三星Galaxy S26系列定檔2月26日

2月11日，三星官方正式宣布，Galaxy Unpacked發布會將于2月25日舉辦，線上直播的北京時間2月26日凌晨2點。屆時，三星Galaxy S26系列手機將正式發布，包括Galaxy S26、Galaxy S26+以及Galaxy S26 Ultra三款機型。

據悉，此次還將首發搭載三星自研Exynos 2600芯片，這是全球第一款量產出來的2nm手機芯片。Exynos 2600采用10核心設計，CPU包括1個3.80GHz超大核、3個3.26GHz大核以及6個2.76GHz小核，其單核成績超過了3400分，多核成績超過了1.1萬分。不過，只有韓國當地和歐洲部分地區會采用Exynos 2600，其余地區標配高通驍龍8 Elite Gen 5。

三款機型配置信息如下：

屏幕/機身

S26：6.3英寸FHD+分辨率，尺寸149.6×71.7×7.2mm，重量167g；

S26+：6.7英寸QHD+分辨率，尺寸158.4×75.8×7.3mm，重量190g；

S26 Ultra：6.9英寸QHD+分辨率，尺寸163.6×78.1×7.9mm，重量214g。

三款機型標配Dynamic AMOLED 2X屏幕，支持120Hz刷新率與Corning Gorilla Armor 2玻璃防護，提供白、藍、黑、紫四種基礎配色。

芯片/存儲

S26/S26+：三星自研Exynos 2600芯片/高通驍龍8 Elite Gen 5；標配12GB內存，提供256GB/512GB存儲選項，無1TB版本。

S26 Ultra：全球市場統一搭載驍龍8 Elite Gen 5，內存規格升級至12GB/16GB，存儲覆蓋256GB、512GB及1TB。

影像

S26/S26+：后置5000萬像素主攝（支持OIS）+1000萬像素3倍光變長焦+1200萬像素超廣角，前置1200萬像素，支持4K@60fps視頻錄制，硬件規格與前代基本一致。

S26 Ultra：后置2億像素主攝（支持多向PDAF+OIS）+5000萬像素5倍光變潛望式長焦+1000萬像素3倍長焦+5000萬像素超廣角，影像硬件大幅升級，尤其長焦能力強化。

續航/充電

S26：4300mAh，25W有線+15W無線充電

S26+：4900mAh，45W有線+15W無線充電

S26 Ultra：5000mAh，60W有線+15W無線充電

全系不內置Qi2磁吸結構，需搭配專用保護殼實現Qi無線充電功能。

預裝基于Android 16的One UI 8.5，支持NFC、Wi-Fi 7（be）、藍牙5.4及多衛星定位（GLONASS、GPS等）。

AMD將從AGESA過渡到openSIL

AMD在2023年就已確認，未來將采用名為“openSIL（開源芯片初始化庫）”的新方案取代現有的AGESA固件，以簡化平臺的UEFI固件創建流程。openSIL固件將支持今年發布的EPYC“Venice”服務器處理器，還有明年上半年Ryzen“Medusa”處理器，兩者均基于Zen 6架構。

近日，波蘭的開源咨詢公司3mbdeb宣布，決定將openSIL固件移植到消費級AM5平臺的產品，選定的是微星的B850-P Pro主板。3mbdeb強調，這只是“概念驗證”，并非用于“生產用途”。理論上如果用戶有興趣，已經可以試用openSIL固件。

AMD最初打算在2024年末發布客戶端“Phoenix”和服務器“Turin（EPYC 9005系列）”的概念驗證代碼，但是由于在獲得開源代碼的必要批準方面遇到了一些延遲，從而影響了原來制定的時間表。同樣得益于openSIL固件對這些處理器的支持，讓3mbdeb的項目得以進行。

AGESA的主要問題是代碼閉源，阻止了用戶出于安全目的、漏洞檢測或其他目的檢查固件代碼，OpenSIL改為開源后，在代碼檢測和防范網絡攻擊方面取得了顯著改進。按照AMD的說法，openSIL相比AGESA更易于擴展且更輕量，并支持不同的主機固件。

英特爾首次展示ZAM內存原型設計

前段時間，英特爾宣布與軟銀子公司SAIMEMORY合作，開發名為“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存儲技術。英特爾和軟銀表示，雙方將聚焦下一代DRAM技術，以支持人工智能（AI）和高性能計算（HPC）日益增長的需求。

據Wccftech報道，英特爾院士兼政府技術首席技術官Joshua Fryman與英特爾日本首席執行官大野誠共同出席了Intel Connection Japan 2026活動。值得關注的是，英特爾剛確認與SAIMEMORY的合作，便展示了ZAM原型設計，并介紹了新款內存未來的發展方向。按照英特爾的說法，在ZAM項目中將承擔“初始投資和戰略決策”的職責。

ZAM的核心在于Z-Angle架構，有別于現有HBM硅通孔（TSV）的連接方式，其采用了交錯互聯拓撲結構，即在芯片堆疊內部以對角線方式進行連接，而非直接垂直鉆孔。英特爾稱，ZAM技術上相比現有解決方案最大的優勢在于其熱管理能力。

與HBM相比，ZAM可能的提升包括：

●功耗降低40%至50%

●通過Z-Angle架構簡化制造流程

●每芯片存儲容量更高（可達512GB）

華邦電子預計DRAM價格半年漲三倍

據TrendForce報道，華邦電子預計DRAM短缺將持續，2026年第一季度DRAM價格將飆升90%至95%，下個季度仍然保持上漲趨勢，漲幅與本季度相當。對比2025年末，意味著半年左右的時間里，DRAM價格已經漲至原來的四倍。

除了價格瘋狂上漲，目前DRAM的產能也十分緊張，華邦電子稱今年和明年的產能已全部售罄，產線已滿負荷運轉。在價格和產能的推動下，華邦電子的營收也將看漲，投資機構預計其未來幾個季度的利潤將大幅增長。按照華邦電子的說法，其2026年第一季度的利潤率可能超過46.9%。

華邦電子表示，現在DDR4供應缺口“大得難以想象”，而且“不知道如何去填補”。即便華邦電子不斷擴產，資本支出創下歷史新高，也難以趕上需求，供應緊張還將持續一段時間。

華邦電子指出，SLC NAND閃存現在面臨更大的短缺，價格上漲速度超過了DRAM。

REDMI K90至尊版搭載主動散熱

據最新爆料，今年上半年REDMI將正式進軍風扇賽道，全新的K90至尊版將支持主動散熱技術，這標志著小米旗下第一款支持主動散熱的性能旗艦即將誕生。

對于廠商而言，要想實現高效的散熱，手機內部不僅需要配置一顆微型風扇，還要設計出完整的進風與出風通道。通過這種強制對流的方式，系統能迅速把熱量帶離核心主板區域，從而實現快速降溫。

因此，這類機型需要一套嚴密的散熱系統設計來支撐。由于這些物理結構會不可避免地擠占主板和電池的內部空間，這就對廠商的精密堆疊能力提出了更高的要求。

此外，全新的REDMI K90至尊版在其他硬件配置上很有誠意。該機將采用一塊超高刷屏幕，預計支持165Hz的刷新率。性能方面，它將搭載聯發科天璣9500平臺，并內置8500mAh的超大電池，配合100W有線快充，確保了強悍的續航與性能釋放表現。

RTX 5060 Ti價格已接近RTX 5070

據ComputerBase跟蹤的RTX 50顯卡走勢，多數顯卡在1月份價格連續幾周上漲，隨后趨于平穩，甚至略有下降。但定位中端的RTX 5060 Ti 16GB價格走勢異常堅挺，近期每日中位數價格已多次突破700歐元（約5757元人民幣），逼近定位更高一級的RTX 5070。在此前的市場格局中，RTX 5060 Ti 16GB與RTX 5070 12GB之間通常保持約100歐元的價差。

不過最低價格仍然有較大的差距，數據顯示，RTX 5060 Ti 16GB的最低價格約為550歐元，而RTX 5070 12GB的價格約為650歐元，但此類高性價比貨源往往瞬間就售罄。

值得注意的是，ComputerBase表示，RTX 5060 Ti 16GB目前供貨相對充足，尚未出現明顯供應短缺，漲價更多源于NVIDIA新的產品優先級策略。

此前有消息稱受限于GDDR7顯存價格，NVIDIA或將暫時停止生產供應RTX 5060 Ti 16GB版本，保障更高端、利潤更高的RTX 5070及RTX 5070 Ti系列的供應。雖然官方否認停產傳聞，但NVIDIA將優先保障RTX 5060、RTX 5060 Ti 8GB及RTX 5070 Ti產能，這也間接推高其他型號溢價。

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