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2月2日消息，據韓媒報道，三星電子和 SK 海力士的“最尖端” NAND 投資終于要全面啟動了。
過去長期把資源優先投向 DRAM 導致計劃一再推遲，隨著 AI 產業推動存儲需求快速上升，兩家公司最近已經開始敲定具體的擴產方案。
業內消息稱，三星與 SK 海力士都計劃在今年第 2 季度推進最尖端 NAND 的“轉換投資”。
三星在 2024 年 9 月就已啟動 280 層 V9 NAND 量產，但目前產能仍然很小，月產大約只有 15000 片晶圓左右。當時，三星考慮到市場需求不足，只在平澤園區部署了初期量產線。
三星接下來準備從今年第 2 季度開始擴大 V9 產能，重點放在中國西安的 X2 產線。目前西安 X2 仍主要生產 6 至 7 代舊款 NAND，而鄰近的 X1 產線向第 8 代 NAND 的轉換基本已經完成。
據了解，業內正在討論的轉換投資規模約為月產 4-5 萬片晶圓。按照設備導入節奏，V9 NAND 預計從明年起正式進入量產加速階段。
半導體業內人士說，三星原本打算在第 1 季度啟動西安 X2 的 V9 轉換，但日程推遲到第 2 季度。同時，平澤第 1 園區（P1）也在準備相關投資，因此明年 V9 產品的生產占比可能會明顯提高。
SK 海力士方面同樣在推進先進 NAND 擴產。SK 海力士計劃在今年第 2 季度啟動 321 層第 9 代 NAND 的轉換投資，目標是在清州 M15 確保月產約 3 萬片晶圓的 V9 產能。與目前約 2 萬片晶圓的水平相比，這次擴產力度相當大。
業內人士認為，三星與 SK 海力士都在為先進 NAND 需求持續增長做準備。過去兩家公司的設備投資幾乎全部集中在 DRAM，但現在 NAND 市場也正在快速出現供應緊張跡象。
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