巨虧36.8億！中國光刻機(jī)突圍，沒想到最先扛不住的竟是日本？

光刻機(jī)這行最諷刺的地方在于，越是“卡脖子”的東西，越不該虧錢。

可現(xiàn)實偏偏反著來。

日本尼康2025財年預(yù)虧850億日元，折合人民幣約36.8億元，還創(chuàng)了日本光刻機(jī)行業(yè)史上最大虧損紀(jì)錄。

很多人第一反應(yīng)是，中國突圍光刻機(jī)，最先慌的應(yīng)該是荷蘭ASML。

畢竟EUV是它的命根子。結(jié)果真相更扎心，ASML還在數(shù)錢，日本這位“昔日霸主”先頂不住，不是“被中國打敗”，而是“被時代清算”。

想當(dāng)年，提起光刻機(jī)，誰不說一句日本厲害。

2004年之前，尼康一直穩(wěn)坐全球光刻機(jī)市場第一的位置，市場份額遠(yuǎn)超當(dāng)時還不起眼的ASML。

那時的尼康，手握核心技術(shù)，訂單接到手軟，全球大部分芯片廠商都要依賴它的設(shè)備。

不止尼康，日本佳能也在光刻機(jī)領(lǐng)域占據(jù)一席之地，兩家企業(yè)聯(lián)手，幾乎壟斷了全球中低端光刻機(jī)市場。

那個年代，荷蘭ASML還只是飛利浦旗下的小公司，只能在尼康和佳能的夾縫中求生存。

誰也沒想到，短短二十年，霸主地位崩塌，虧損成為常態(tài)。

尼康的衰落，始于一次關(guān)鍵的技術(shù)路線選錯。

當(dāng)年，芯片制造需要更小的線寬，光刻機(jī)技術(shù)面臨瓶頸，193nm波長向157nm波長進(jìn)軍時屢屢受阻。

臺積電工程師想出，用水作為介質(zhì)，實現(xiàn)193nm激光的折射，直接跨越157nm的技術(shù)難關(guān)。

于是工程師跑遍全球，找尼康、佳能合作，卻被兩家日本企業(yè)直接拒絕。

尼康當(dāng)時傲慢不已，覺得自己的技術(shù)路線才是正確的，不屑于采納客戶提出的建議。

就是這一次拒絕，讓尼康徹底錯失了翻盤的機(jī)會，也給了ASML崛起的空間。

被尼康拒絕后，工程師后來找到了ASML。

彼時的ASML還很弱小，卻敏銳地抓住了這個機(jī)會，果斷和臺積電合作，僅用一年就造出了第一臺浸沒式光刻機(jī)樣機(jī)。

這款設(shè)備性價比極高，很快拿下臺積電的大額訂單，也吸引了IBM、三星等大客戶。

更聰明的是，ASML推出“客戶聯(lián)合投資計劃”，讓臺積電、三星、英特爾等企業(yè)入股。

這樣一來，這些客戶不僅會優(yōu)先采購ASML的設(shè)備，還會在技術(shù)、資金上提供支持。

ASML加入了由英特爾牽頭的EUV研發(fā)組織，獲得了大量核心技術(shù)支持，而尼康和佳能被排除在外。

短短五年，ASML的市場份額就飆升到50%，徹底超越尼康，成為行業(yè)新霸主。

看到ASML在EUV領(lǐng)域的壟斷地位，尼康也曾試圖追趕。

但EUV光刻機(jī)技術(shù)極其復(fù)雜，包含上萬個核心零部件，需要全球頂尖供應(yīng)鏈的支持。

尼康缺乏核心零部件的供應(yīng)鏈，也沒有足夠的資金持續(xù)投入研發(fā)，研發(fā)過程屢屢受挫。

最終，尼康不得不放棄EUV的研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注于中低端DUV光刻機(jī)市場。

可此時的中低端市場，早已不是當(dāng)年的格局，ASML也在布局中低端產(chǎn)品，擠壓尼康的生存空間。

尼康的中低端光刻機(jī)，技術(shù)更新緩慢，價格沒有優(yōu)勢，慢慢被市場淘汰。

更尷尬的是，它連中低端市場的話語權(quán)，都逐漸喪失。

就在尼康節(jié)節(jié)敗退的時候，中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)開始發(fā)力突圍。

2023年，日本主動加碼對華半導(dǎo)體設(shè)備出口管制，宣布對23種半導(dǎo)體制造設(shè)備加強(qiáng)管控，其中就包括用于成熟制程的深紫外光刻機(jī)。

而且管控比美國更徹底，直接瞄準(zhǔn)了中國已安裝設(shè)備的維護(hù)環(huán)節(jié)。

他們試圖通過備件斷供、審批卡殼，讓中國的光刻機(jī)慢慢失去生產(chǎn)力，進(jìn)而遏制中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

當(dāng)時不少外媒都覺得，這步棋能給中國的芯片自給自足計劃致命一擊，畢竟那時候中國大量使用的深紫外光刻機(jī)，核心備件和光刻膠，長期依賴日本供應(yīng)商。

可日本沒算到，這種強(qiáng)硬的管制，反而成了中國光刻機(jī)加速突圍的催化劑。

中國迅速做出回應(yīng)，一方面對鎵、鍺等半導(dǎo)體核心原料實施出口管制。這直接影響了日本半導(dǎo)體企業(yè)的原料供應(yīng)。

另一方面，集中力量推進(jìn)國產(chǎn)光刻機(jī)的研發(fā)和量產(chǎn)。

2025年末，中國政府采購網(wǎng)公布的一則采購公告，上海微電子中標(biāo)了科技部下屬實驗室的步進(jìn)掃描式光刻機(jī)采購項目，中標(biāo)金額接近1.1億元。

這款型號為SSC800/10的光刻機(jī)，完全能滿足高密度神經(jīng)電極陣列制造等前沿科研領(lǐng)域的需求。

這標(biāo)志著中國光刻機(jī)真正實現(xiàn)了從技術(shù)驗證到市場應(yīng)用的跨越。

在此之前，上海微電子已經(jīng)實現(xiàn)了90nm ArF光刻機(jī)的量產(chǎn)，其SSX600系列光刻機(jī)，能滿足90nm、110nm、280nm等關(guān)鍵層的光刻工藝需求，適配國內(nèi)汽車電子、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的成熟制程需求。

中國光刻機(jī)的突圍，直接沖擊了日本企業(yè)的市場份額。

2025年上半年，中國從日本進(jìn)口的半導(dǎo)體設(shè)備約合48億美元，同比下降13.24%，其中光刻機(jī)的進(jìn)口量下滑更為明顯。

尼康最新披露的財報顯示，預(yù)計截至2026年3月的財年，合并最終損益將虧損850億日元。

日本企業(yè)的巨虧，給我們提了一個醒：核心技術(shù)從來都不能依賴進(jìn)口，別人的技術(shù)封鎖，反而會成為我們自主創(chuàng)新的動力。

當(dāng)然，我們也不能盲目樂觀。

目前，國產(chǎn)光刻機(jī)在高端制程領(lǐng)域，和ASML還有明顯的代差，EUV光刻機(jī)的研發(fā)，仍然面臨諸多挑戰(zhàn)，核心子系統(tǒng)的短板還需要逐步補(bǔ)齊。

但不可否認(rèn)的是，中國光刻機(jī)的突圍已經(jīng)取得了實質(zhì)性進(jìn)展，未來，隨著國產(chǎn)替代的持續(xù)推進(jìn)，中國在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的話語權(quán)，還會進(jìn)一步提升。