IBM與泛林集團達成五年新合作：將共同推動亞1納米制程突破

2026年3月10日，IBM和泛林集團（Lam Research Corporation）正式宣布達成合作協議，雙方將攜手開發新型工藝與材料，以支撐亞1納米（sub-1nm）邏輯制程的研發與落地。

對于廣大數碼硬件愛好者而言，IBM的名字早已耳熟能詳，但對泛林集團可能相對陌生，下面小編就為大家簡要介紹這家行業巨頭：

泛林集團總部坐落于美國加利福尼亞州弗里蒙特市，是一家躋身《財富》500強的半導體巨頭。作為全球領先的半導體晶圓制造設備及服務供應商，其核心設備與專業服務能夠助力客戶制造出更小、更高效、更可靠的半導體器件，目前全球幾乎所有先進芯片的生產過程，都離不開泛林集團的技術支持。

IBM與泛林集團的合作并非首次，雙方早已是深耕多年的老伙伴，至今已擁有長達十余年的成功合作積淀。在此之前，兩家企業便攜手攻克了7納米架構、EUV（極紫外光刻）工藝等多項關鍵技術難題，IBM在2021年推出的全球首款2納米節點芯片，正是得益于雙方的深度協作。

此次雙方達成的為期五年的全新合作協議，將重點聚焦于新型材料研發、先進制造工藝創新以及高數值孔徑（High-NA）極紫外光刻（EUV）工藝的聯合攻關，以此推動IBM邏輯制程擴展路線圖的穩步推進。

此次合作的核心重點主要包括三個方面：1. 研發適配亞1納米制程的新型材料，突破現有材料性能瓶頸；2. 針對日益復雜的半導體器件架構，打造先進的刻蝕與沉積技術能力，滿足高精度制造需求；3. 開發新型High-NA EUV光刻工藝，實現下一代芯片互連與器件圖案化的技術突破，并推動該工藝在產業界的快速普及與應用。

IBM半導體與混合云研究副總裁、IBM半導體總經理Mukesh Khare表示：

“泛林集團十余年來一直是IBM在半導體領域的關鍵合作伙伴，為邏輯制程縮放及器件架構的重大突破——包括納米片技術的成熟應用以及全球首款2納米節點芯片的問世，做出了不可或缺的重要貢獻。我們非常榮幸能夠進一步擴大合作范圍，與泛林集團攜手應對High-NA EUV光刻及亞1納米節點研發過程中面臨的下一階段核心挑戰。”

泛林集團首席技術與可持續發展官Vahid Vahedi表示：

“隨著半導體產業進入3D縮放的全新時代，技術進展的關鍵取決于如何將新型材料、先進工藝與光刻技術高效整合為高密度統一系統。我們很榮幸能在與IBM長期成功合作的基礎上，持續推動High-NA EUV干式光刻膠及相關工藝的技術突破，加速研發適用于AI時代的低功耗、高性能半導體晶體管，為產業發展注入新動能。”

此次合作將主要在IBM位于紐約州奧爾巴尼的NY Creates 奧爾巴尼納米科技綜合園區內開展，同時充分依托泛林集團的端到端工藝設備與創新技術，包括其核心的Aether干式光刻膠技術、Kiyo?與Akara刻蝕平臺、Striker?與ALTUS Halo沉積系統，以及先進封裝技術。

雙方將組建專屬聯合團隊，構建并全面驗證納米片及納米堆棧器件、背面供電技術的完整工藝流程。這些核心能力旨在確保High-NA EUV圖案能夠以高良率、高可靠性轉移至實際器件層，進而實現邏輯制程的持續縮放、芯片性能的顯著提升，并為未來亞1納米邏輯器件提供切實可行的量產解決方案。