【簡訊】魅族手機或在3月正式退市；AMD發(fā)布EPYC 8005系列…

魅族手機或在3月正式退市

據(jù)國內(nèi)媒體報道稱，魅族手機可能將成為歷史。多位知情人士表示，魅族手機業(yè)務(wù)已經(jīng)實質(zhì)性停擺，將于2026年3月正式退市。報道中提到，魅族旗下FlymeAuto車機業(yè)務(wù)將獨立運營，魅族品牌或?qū)⒗^續(xù)保留在吉利體系內(nèi)。

據(jù)悉，星紀魅族的飛書大群目前還剩1000多人，但有不少員工已提出離職，少量員工已轉(zhuǎn)崗至吉利體系內(nèi)的極氪汽車。

今年1月份時，星紀魅族集團中國區(qū)CMO萬志強曾透露，魅族23仍將在2026年發(fā)布，不過從現(xiàn)在看，該項目已經(jīng)不再實質(zhì)性推進。

有接近魅族的人士透露，從去年4月開始，魅族已經(jīng)有很多供應(yīng)商的款項無法正常結(jié)算，至今仍有大量欠款已成為壞賬，“魅族的結(jié)局大概率是申請破產(chǎn)。”

目前，魅族官方商城顯示，旗下手機產(chǎn)品已全部處于“補貨中”或“售罄”狀態(tài)，包括魅族21、魅族21 PRO、魅族22、魅族Note 16 Pro等在內(nèi)，均無法直接購買。

AMD發(fā)布EPYC 8005系列

日前，AMD低調(diào)地發(fā)布了新一代EPYC 8005系列處理器，代號“Sorano”。它是Seina EPYC 8004系列的繼任者，依然定位于零售、制造、電信等智能邊緣應(yīng)用，以及云服務(wù)、存儲等數(shù)據(jù)中心應(yīng)用。

技術(shù)規(guī)格細節(jié)公布的很少，甚至是SKU型號都還沒公開。目前只知道架構(gòu)從Zen4c升級到Zen5c，最多84個核心(增加20個但也有可能仍為64個)，最高熱設(shè)計功耗225W(不變)。

按照官方說法，EPYC 8005系列的主要優(yōu)勢有：

寬溫工作范圍，滿足各類嚴苛環(huán)境需求。

支持符合NEBS標準的平臺，適用于惡劣環(huán)境及戶外通信部署。

單路高核心數(shù)，可實現(xiàn)更小的設(shè)備尺寸。

新品將在未來幾周內(nèi)上市。

三星將關(guān)閉最后的2D NAND產(chǎn)線

三星自2013年開始生產(chǎn)3D V-NAND，然后逐漸把傳統(tǒng)的2D NAND產(chǎn)線轉(zhuǎn)向3D堆疊產(chǎn)線，13年后，三星最后一條2D NAND產(chǎn)線要關(guān)閉了，這條產(chǎn)線將轉(zhuǎn)向生產(chǎn)第六代10nm級的1c DRAM，而這也是三星HBM4的基礎(chǔ)。

根據(jù)韓國媒體thelec的消息，三星最早會在3月停止華城12號生產(chǎn)線的運營，目前該產(chǎn)線月產(chǎn)能約8至10萬片12英寸晶圓，停產(chǎn)后者條產(chǎn)線將改造為DRAM后處理車間，將負責前端工藝流程中的后續(xù)處理，例如金屬布線和表面處理，升級后它將分擔華城工廠其他DRAM生產(chǎn)線的工作量，從而提高整體生產(chǎn)效率。

去年，三星電子在第四季度的財報上提到了要從傳統(tǒng)工藝向先進工藝過度，包括停止生產(chǎn)傳統(tǒng)2D NAND，目前2D NAND會被用在一些低成本的存儲設(shè)備上，例如U盤，但自從3D NAND普及后，2D NAND的需求已經(jīng)大幅下降，主要NAND廠商均已完成向3D NAND閃存的過渡。

在華城的12號產(chǎn)線升級完成后，三星的華城工廠將會全力生產(chǎn)DRAM閃存，平澤工廠則繼續(xù)是DRAM、NAND生產(chǎn)會用，原本的平澤P4產(chǎn)線原本是DRAM、NAND、Foundry生產(chǎn)混用的，但最新的計劃則是傾向生產(chǎn)1c DRAM，西安工廠則繼續(xù)負責NAND生產(chǎn)，但會推進產(chǎn)線工藝轉(zhuǎn)換。三星預(yù)計，下半年1c DRAM的總晶圓產(chǎn)能將達到每月約20萬片。

SK海力士宣布與閃迪攜手

2026年2月25日，SK海力士聯(lián)合閃迪舉辦了“HBF規(guī)格標準化聯(lián)盟啟動會”，正式發(fā)布面向AI推理時代的下一代存儲器解決方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球標準化戰(zhàn)略。SK海力士表示，將與閃迪攜手，共同推動HBF成為行業(yè)通用標準，為整個AI生態(tài)系統(tǒng)協(xié)同發(fā)展奠定基礎(chǔ)，目前已依托OCP1框架，設(shè)立專項工作組（Workstream），正式啟動HBF的標準化制定工作。雙方將充分發(fā)揮各自在HBM與NAND閃存領(lǐng)域長期積累的設(shè)計能力、封裝技術(shù)及大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗，率先推動HBF的標準化與產(chǎn)品化進程。

HBF作為介于HBM和固態(tài)硬盤之間的新型存儲階層，旨在彌合HBM高性能與固態(tài)硬盤大容量特性之間的差距，并滿足AI推理場景對容量擴展性與能效的雙重需求。在傳統(tǒng)架構(gòu)中，HBM負責提供最高帶寬，而HBF則負責與其深度協(xié)同。HBF不僅可提升AI系統(tǒng)的擴展能力，還能有效降低總體擁有成本（TCO），預(yù)計以HBF為關(guān)鍵組件的整合型存儲器解決方案將于2030年前后迎來全面市場擴張。

近期AI產(chǎn)業(yè)正加速由大型語言模型（LLM）的訓(xùn)練階段，邁向以實際服務(wù)應(yīng)用為導(dǎo)向的推理階段。在AI推理市場，競爭優(yōu)勢不僅取決于單芯片性能，更取決于CPU、GPU、內(nèi)存與存儲之間的系統(tǒng)級協(xié)同優(yōu)化能力。在SK海力士看來，能同時提供HBM與HBF綜合性存儲器解決方案的存儲器廠商，在未來半導(dǎo)體行業(yè)中的戰(zhàn)略地位將變得愈發(fā)重要。

2026年手機市場將全面普漲

據(jù)國內(nèi)媒體報道稱，2026年中國手機行業(yè)將正式迎來全面漲價潮，這也是國內(nèi)手機市場發(fā)展以來首次出現(xiàn)全品類、全品牌同步普漲的態(tài)勢。報道中提到，供應(yīng)鏈人士、行業(yè)分析機構(gòu)及多家手機品牌內(nèi)部人士表示，3月起，手機漲價將進入加速階段，新品漲幅最低可達1000元以上。

此外，OPPO、一加、vivo、iQOO、小米、榮耀等主流品牌或?qū)㈥懤m(xù)上調(diào)老款機型售價，疊加內(nèi)存成本的頻繁波動，2026年中國手機市場或?qū)⒚媾R歷史上首次一年內(nèi)多次上調(diào)價格的局面。

相關(guān)人士表示，這輪漲價不是個別品牌的選擇，而是全行業(yè)的必然趨勢。”目前國內(nèi)主流手機品牌均已完成漲價方案的敲定，部分品牌已向線下經(jīng)銷商、線上渠道商下發(fā)了調(diào)價通知。

此前調(diào)研機構(gòu)Counterpoint Research發(fā)布的最新報告中指出，2026年全球智能手機均價將同比上漲6.9%，其中中國市場漲幅將顯著高于全球平均水平，核心原因是上游供應(yīng)鏈成本的持續(xù)飆升，尤其是內(nèi)存芯片價格的暴漲的影響，預(yù)計3月后中國市場新品手機均價將較2025年同檔位機型上漲15%-25%。

另據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2026年中國手機市場旗艦機漲幅將突破30%，同配置機型比2025年貴300-1000元，大存儲版本甚至貴2000元，而3月后發(fā)布的新品，漲幅將在此基礎(chǔ)上進一步擴大。

英偉達已交付首批Vera Rubin樣品

日前，英偉達公布了2026財年第四財季（截至2026年1月25日）財報，顯示收入達到了681.27億美元，同比增長73%，環(huán)比增長20%，2027財年第一財季預(yù)計進一步攀升至780億美元，可謂形勢一片大好。英偉達上個月初在CES 2026上，正式發(fā)布了新一代Vera Rubin平臺，確認“已經(jīng)全面投產(chǎn)”，開啟新的AI之旅。

據(jù)TomsHardware報道，英偉達創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛在季度財報電話會議上宣布，本周已經(jīng)向客戶發(fā)送了Vera Rubin樣品，一旦合作伙伴通過資格認證并驗證新平臺，就會著手準備部署，預(yù)計相關(guān)工作將在2026年下半年或2027年初進行。這意味著Vera Rubin的最終規(guī)格已經(jīng)確定，暫時還不清楚HBM4的速率是否有像之前傳言那樣有所更改。

Vera Rubin平臺由六款全新芯片組成，包括Vera CPU、Rubin GPU、NVLink 6交換機、ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4 DPU和Spectrum-6以太網(wǎng)絡(luò)交換機，通過極致的協(xié)同設(shè)計，打造性能驚人的AI超級計算機，大幅縮短AI訓(xùn)練時間并降低推理Token生成成本。

傳聞考慮到SK海力士和三星的產(chǎn)能和良品率問題，確保采購足夠數(shù)量的HBM4用于Vera Rubin平臺，英偉達可能放寬HBM4規(guī)格要求。除了11.7Gbps外，英偉達還將采購速率降一檔的10.6Gbps產(chǎn)品，以降低存儲器制造商的生產(chǎn)難度，從而確保HBM4的穩(wěn)定供應(yīng)。

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